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电子技术基础 PN结及其特性 ——赤壁市机电信息技术学校 杨展 Email ：492480981@ 1 PN结的形成过程 2 PN结的单向导电性 3 PN结的伏安特性 4 PN结的击穿 5 PN结的结电容 一.PN结的形成 1.PN结的定义 杂质半导体的导电能力虽然比本征半导体极大增强，但它们并不能称为半导体器件。在电子技术中，PN结是一切半导体器件的核心部分和技术起始点。 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成P型半导体和N型半导体。此时将在P型半导体和N型半导体的结合面上形成一个特殊的接触面，称之为PN结。 一.PN结的形成 2.PN结的形成过程 P区 N区 空间电荷区 内电场 ?因多子浓度差 ?形成内电场 ?多子的扩散 ?空间电荷区 ?阻止多子扩散，促使少子漂移。 P、N结合 一.PN结的形成 2.PN结的形成过程 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。 一.PN结的形成 2.PN结的形成过程 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 一.PN结的形成 2.PN结的形成过程 一.PN结的形成 几点说明： 2.PN结内部载流子基本为零，因此导电率很低，相当于介质。但 PN结两侧的P区和N区导电率很高，相当于导体，这一点和电容 比较相似，所以说PN结具有电容效应。 1.当扩散与漂移作用平衡时 a. 流过PN结的净电流为零 b. PN结的厚度一定（约几个微米） c. 接触电位一定（约零点几伏） 3.空间电荷区中载流子很少，可忽略，又称该区为耗尽层。PN 结内部从N区到P区存在电位差，因此又称势垒层。 4.空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴.N区 中的电子（都是多 子）向对方运动（扩散运动）。 5.P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少子），数量有限，因 此由它们形成的电流很小。 二.PN结的单向导电性 1.PN结的正偏与反偏 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区接电源正极（高电位）、N 区接电源负极（低点位）。此时外电场的方向与内电场方向相反 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电压。此时外电场的方向与内电场方向相同。 外电场削弱内电场 →耗尽层变窄，等效电阻减小 →多子扩散形成正向电流I F →扩散运动＞漂移运动 外电场加强内电场→耗尽层变宽，等效电阻增大 →漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R 二.PN结的单向导电性 PN结的正向偏置 二.PN结的单向导电性 PN结的反向偏置 二.PN结的单向导电性 几点说明： 1.PN结正偏特点：PN结厚度变薄，等效电阻很小，内部电流较大；反偏特点：P结厚度变厚，等效电阻很大，内部电流几乎为0. 3.在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。 2.PN结的上述“正向导通，反向截止”作用，说明它具有单向导电性，PN结的单向导电性是它构成半导体器件的基础。 三.PN结的伏安特性曲线 PN结两端的电压与流过的电流之间的关系称为伏安特性，可以用伏安特性曲线来描述。 伏安特性曲线是在以电压为横轴、电流为纵轴的坐标平面上作出的曲线。 绘制方法：先测量出一系列的某器件上的电压和电流值，再在坐标平面上标记出对应的点，最后再用光滑的曲线连接这些点，即可得到这一器件的伏安特性曲线。 三.PN结的伏安特性曲线 1.PN结伏安特性曲线分区 PN结的伏安特性呈非线性，特性曲线上大致可分为四个区： 外加正向电压超过死区电压(硅管0.5V，锗管0.1V)时，内电场大大削弱，正向电流迅速增长，PN结进入正向导通区。 死区 正向 导通区 反向 截止区 当外加正向电压很低时，由于外电场还 不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运 动的阻力，故正向电流很小，几乎为零。 这一区域称之为死区。 外加反向电压超过反向击穿电压UBR时，反向电流突然增大，PN结失去单向导电性，进入反向击穿区。 反向 击穿区 反向截止区内反向饱和电流很小，可近似视为零值。 三.PN结的伏安特性