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直流磁控反应溅射制作Ta2O5的工艺和电学特性研究.pdf
直流磁控反应溅射制作Ta205的工艺和电学特性研究
Correlationbetween andelectricalcharacteristicsof
parameters Ta20s
thinfilms reactivedirect-current
depositedby magnetron
sputtering
1肖 田
1徐毅1曹兆铿1刘逸忠 2李德杰
Yi
1Xu 1Cao 1Liu 1Xiao
ZhaokengYizhong Thin啵Dejie
1广电电子股份有限公司平板显示技术研发中心 200081
2清华大学电子工程系 100084
1FPDRD electron 1
Center，SVACo．Ltd．，Shanghai，20008
of
Electronic
2Department Engineering，TsinghuaUniversity，Beijing，100084
摘要：在做完底电板的玻璃上。在氩气和氧气的混合气氛中用钽靶直流磁控反应溅射沉积五氧化二钽。用
XPS分析了膜的杂质、Ta和O的摩尔比和结合能，并用MIM结构测试了电学性能。随着氩氧比的变化关介电常数在
cm2，击穿场强高于2MVkm。
关键词：五氧化二钽 直流磁控反应溅射 电学特性金属一鲍缘层一金属
thin reactivedirect-cur弛nt inan ambient．The
Abstract：Ta205 magnet∞on Ad02
6]nls啪depositedby sputtering
of
are XPStheelectrical areexamined MIMstructure．Thedielectricconstant
mms and a
analysedby properties throush
thetantalumoxide from19_【o onthe O+PAr)】ased
r吼sed 68，dependingoxygenpergentage[P(％)=POff(Pduringsputter-
is than10nMcm2at0．5MV，cmelectric thedielectricbreakdownfieldis
current less field，and
leakage
ing．The density
than for
2MV／em
P=50％．
greater
electrical
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