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门极可关断晶闸管GTO的特殊结构 特点： 较大，NPN管控制灵敏，使GTO易关断 结构设计时，使 更接近于1，普通晶闸管一般为 ，GTO设计为 ，更接近于临界饱和，为门极关断提供有利条件。 缺点：未进入深饱和，器件导通压降大。 多元集成结构，阴极面积小，门、阴极间距离短，P2基区横向电阻小，从门极抽出较大电流成为可能。 多元集成结构使GTO开通过程快，承受di/dt能力强。 GTO的动态特性 开通过程：与普通晶闸管相同。 关断过程：与普通晶闸管有所不同。 储存时间ts，使等效晶体管退出饱和 下降时间tf 尾部时间tt —残存载流子复合 O t 0 t i G i A I A 90% I A 10% I A t t t f t s t d t r t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t 6 通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。 门极负脉冲电流幅值越大，ts越短。 1.4.3 GTO的主要参数 最大可关断阳极电流IATO 电流关断增益?off ?off一般很小，5左右，GTO的主要缺点。 ——GTO额定电流 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联 。 1.5 电力晶体管GTR Giant Transistor——GTR，巨型晶体管。 耐高压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），也称Power BJT。 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 1.5.1 GTR的结构 由三层半导体材料、两个PN结组成的三端器件，三个极分别为基极、集电极和发射极。 有PNP和NPN两种结构，使用较多的是NPN型 与普通的双极结型晶体管基本原理一样； 耐压高、电流大、开关特性好； 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元 结构； 采用集成电路工艺将许多这种单元并联。 1.5.1 GTR的结构 1.5.2 GTR的工作特性 静态工作特性 共发射极接法输出特性：截止区、放大区和饱和区。 工作在开关状态。 开关过程中，要经过放大区。 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2 i b1 i b1 i b2 i b3 U ce 1.5.2 GTR的工作特性 i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 动态工作特性 开通过程 延迟时间td和上升时间tr之和为开通时间ton。 上升时间主要由基区电荷储存时间造成，增大基极驱动电流幅值和di/dt，可加快开通过程。 动态工作特性 关断过程 储存时间ts和下降时间 tf之和为关断时 间toff 。 减小导通时饱和深度 以减小储存载流子，或 增大基极抽取负电流的幅 值和负偏压，可缩短储存时间，加快关断速度。 开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO短 。 1.5.2 GTR的工作特性 i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 1.5.3 GTR的主要参数 最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿； 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关； BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo； 使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。 1.5.3 GTR的主要参数 通常为直流电流放大系数hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic 。 留一定裕量，取IcM的一半或稍多。 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率。 集电极最大允许电流IcM 1.5.4 GTR的二次击穿及安全工作区 一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时，如不能有效地限制电流，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 二次击穿对GTR有极大危害。 1.5.4 GTR的二次击穿及安全工作区 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。 SOA O I c I cM P