第1章-常用半导体器件解说.pptVIP

从以上分析可知，对于NPN型三极管： 集电极电流和基极电流是流入三极管， 发射极电流是流出三极管， 流进的电流等于流出的电流。 由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。 若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。 4． 三极管的电流分配关系 对高质量的三极管，通常希望：发射区的绝大多数自由电子能够到达集电区，即ICN在IE中占有尽可能大的比例。 为了衡量集电极电子电流ICN所占发射极电流IE的比例大小，一般将ICN和IE的比值定义为共基直流电流放大系数，记作 ，即 （1-10） 将式(1-10)代入式（1-8）可得 （1-11） 当ICBOIC时，可将ICBO忽略，则： （1-12） 将式（1-9）代入式（1-11），即得 （1-13） 令 （1-14） 称为共射直流电流放大系数。将式(1-14)代入式(1 – 13)，可得 （1-15） 上式中：(1+β)ICBO是基极开路（IB=0）时，流经集电极与发射极之间的 电流，称为穿透电流，用ICEO表示，即: （1-16） 通常ICEO很小，上式可简化为： 将式（1-18）代入式（1-9），可得 则IC又可表示为： （1-17） （1-18） （1-19） 5. 三极管的电流放大作用 三极管工作在放大状态时，由于其内部结构的特点，即发射区掺杂浓度高、基区薄、集电结宽，使发射区扩散到基区的大量电子，只有很小的一部分在基区复合形成很小的基极电流IB，大部分越过基区流向集电区，形成集电极电流IC。 管子做成后，IC和IB的比例基本上保持一定。所以IC的大小不但取决于IB，而且远大于IB。 因此只要能控制基极的小电流IB，就可实现对大的集电极电流IC的控制。 所谓三极管的电流放大作用，就是指这种对电流的控制能力，故常把三极管称为电流控制器件。 图中：在输入电压ui作用下，三极管的基极电流将在直流电流IB的基础上叠加一个动态电流ΔiB， 集电极电流也会在直流电流IC的基础上叠加一个动态电流ΔiC 。 ΔiC与ΔiB之比称为共射交流电流放大系数，记作β，即 (1-20) 3）伏安特性 根据理论分析，PN结两端的电压U和流过PN结的电流I之间的关系为： (1-2) 式中, IS 为反向饱和电流； UT 为温度电压当量，UT=kT/q，其中： k为玻尔兹曼常数（即为1.38×10-23 J/K）， q为电子电荷（约为1.6×10-19C), T为PN结的绝对温度。 对于室温T=300K来说，UT≈26mV。若UUT，则可得下列近似式： 即I随U按指数规律变化；当PN结外加反向电压（U为负），且|U|UT时，eU/UT→0，则I≈-IS。即反向电流与反向电压大小无关。 PN结的反向饱和电流IS一般很小(硅PN结：毫微安量级，锗PN结：微安量级)，所以PN结反向特性曲线几乎接近于横坐标。 I与U的关系曲线如图1-9所示。 3． PN结的击穿特性 如前所述，当PN结外加反向电压时，流过PN结的反向电流很小，但是当反向电压不断增大，超过某一电压值时，反向电流将急剧增加，这种现象称为PN结的反向击穿(Reverse Breakdown)。 反向电流急剧增加时所对应的反向电压U(BR)称为反向击穿电压。 图 1-10 PN结的击穿特性 PN结产生反向击穿的原因有以下两种： 1）雪崩击穿：掺杂浓度较低的PN结中，连锁反应，造成载流子急剧增多， 使反向电流“滚雪球”般骤增。雪崩击穿的击穿电压较高，其值随掺杂浓度的降低而增大。 空间电荷区变宽——内电场加强——飘移运动加速——动能加大——共价键价电子碰撞 ——产生电子-空穴对——电场加速——碰撞其他中性原子——产生新的电子空穴对。 2）齐纳击穿：PN结两边的掺杂浓度很高时，只要加上不大的反向电压（如4V以下），阻挡层就可能获得2×106V/cm以上的电场强度，该场强足以直接破坏共价键，把价电子从共价键中拉出来，齐纳击穿的反向击穿电压较