碳化硅电子器件发展终稿.docx

碳化硅电力电子器件的发展现状分析 目 录 1. SiC器件的材料与制造工艺 2 1.1 SiC单晶 2 1.2 SiC外延 3 1.3 SiC器件工艺 4 2. SiC二极管实现产业化 5 3. SiC JFET器件的产业化发展 6 4. SiC MOSFET器件实用化取得突破 7 5. SiC IGBT器件 8 6. SiC功率双极器件 9 7. SiC 功率模块 10 8. 国内的发展现状 11 9. SiC电力电子器件面对的挑战 11 9.1 芯片制造成本过高 11 9.2 材料缺陷多，单个芯片电流小 12 9.3 器件封装材料与技术有待提高 12 10. 小结 12  在过去的十五到二十年中，碳化硅电力电子器件领域取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并初步展现出其巨大的潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到革命性的推动作用。随着SiC单晶和外延材料技术的进步，各种类型的SiC器件被开发出来。SiC器件主要包括二极管和开关管。SiC二极管主要包括肖特基势垒二极管及其新型结构和PiN型二极管。SiC开关管的种类较多，具有代表性的开关管有金属氧化物半导体场效应开关管（MOSFET）、结型场效应开关管（JFET）、绝缘栅双极开关管（I