射频电路设计技术第三章讲述.pptVIP

第3章 有源晶体管 从本质上讲，移动通信市场的成功，是以半导体制造技术的发展与飞跃为基础的，近年来电信业、移动电话业务的大规模发展就是很好的例证。 本章首先介绍了用于当代射频电路的各种各样有源晶体管，然后对其带宽、增益、噪声、功率容量和线性度等关键射频性能进行了对比与分析。 3.1 不同材料的比较 随着硅（Si）基和砷化镓（GaAs）基化合物半导体的发展，以及大量双极型、场效应晶体管的出现，射频电路设计师可选择的有源晶体管比以往任何时期都多。 设计师根据所设计电路的应用领域及有源晶体管的规格要求，最终决定了选择什么工艺技术。 3.1.1 硅基材料简介 先进的、复杂的后期处理工艺及流程突破了大多数硅技术存在的局限性。 硅基双极型晶体管技术及电路技术主要的突破是： （1）最小化电容量的设计方法 （2）多金属层技术的发展与进步 多层金属化技术是：在物理意义上表示各金属层彼此分开，而且各金属层的屏蔽电路的关键元件不受导电性衬底的影响，并且在金属层之间，引进低介电常数的绝缘层，从而降低了互连电容量。 3.1.2 砷化镓基材料简介 与硅衬底相反，砷化镓衬底是半绝缘材料，因此，不存在上述寄生电容、高损耗或低Q因子的局限性。 砷化镓半导体技术的优势在于：它们固有的射频性能比硅基双极型晶体管技术优越得多，并且它们适用于制造光电子集成晶体管。 3.2 双极型晶体管 大部分双极