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3.2.3 PN结的单向导电性 3. PN结V-I 特性的表达式 PN结最高温度限制： 当温度升高到一定程度，本征激发产生的少子浓度可能达到或超过掺杂（多子）浓度，杂质半导体变得和本征半导体一样，PN结消失。 硅( Si ) ：约为（150～200℃） 锗( Ge) ：约为（75～100℃） (3) 平面型 (2) 面接触型 符 号 电路符号（电气图用） 阳极(Anode) 阴极(Cathode) 理想二极管符号 ∕旧的电路符号 PN结面积大，极间电容大。 适合整流，不适合高频。 集成电路中 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.3.2 二极管的V-I特性 1. 正向特性 门坎电压(死区电压)：室温下 硅管Vth＝(0.5~0.6)V 锗管Vth ＝(0.1~0.2)V 导通电压VD(on) ： 硅管0.7V；锗管0.2V 。 Vth (th_threshold) 非线性 器件！ 单向导电性(主要的) 导通后的非线性 2. 反向特性 反向饱和电流： 硅管： 0.1μA 锗管： 几十μA 反向电流随温度升高 明显增加 3. 反向击穿特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.3.3 二极管的主要参数 1. IF——最大整流电流 2. VBR——反向击穿电压 最高反向工作电压一般约为击穿电压的一半。 长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。 3. IR(IS)—— 反向饱和电流 值越小，说明管子的单向导电性越好。其受温度影响明显。 4. Cd __ 极间电容 电压变化，电荷变化（充放电）。 包括势垒电容CB 、扩散电容CD。 5. TRR __ 反向恢复时间 外加电压从正偏变为反偏时，二极管中电流由正向翻转为反向电流，至反向电流减为很小的时间。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析法 电路组成：二极管、电阻、电压源。 分析方法：图解法、模型法(等效电路法)。 图示电路可分为A、B两部分； A部分的电压与电流关系： vD=VDD - iDR B部分的电压与电流关系就是二极管 的伏安特性。 图解法 vD iD VDD 求vD，iD。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在二极管的伏安特性上画出vD=VDD - iDR 。 求交点（电路工作点）。 * 图解法的前提：已知二极管的V-I 特性曲线——实际中不现实。 * 解方程组： ，复杂，借助计算机完成。 iD O VBR IS VDD R VDD Q iD vD vD * 简化模型分析法：有效的工程近似方法。 vD iD VDD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1. 二极管V-I 特性建模 大信号模型(单向导电特性) V-I 特性 代表符号 (1) 理想模型 正向偏置时： 电阻为0，管压降为0。 反向偏置时： 电阻为∞，电流为0。 理想模型、恒压降模型、折线模型 a k 使用条件：电源电压 二极管管压降时 基本思想： 3.4.2 二极管电路的简化模型分析法 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Cl