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第1章 半导体器件及其特性 1.1 普通二极管 ⑹ 饱和压降UCES ⑺ 特征频率fT 图1-25 ICEO、U(BR)CEO和UCES 图1-26 三极管PCM曲线 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ⒌ 三极管安全工作区 图1-27 三极管安全工作区 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 【例1-4】已测得三极管各极对地电压值为U1、U2、U3，且已知其工作在放大区，试判断其硅管或锗管？NPN型或PNP型？并确定其E、B、C三极。 ⑴U1=5.2V，U2=5.4V，U3=1.4V； ⑵ U1= -2V，U2= -4.5V，U3= -5.2V。 解：⑴ PNP型锗管，U1 、U2 、U3引脚分别对应B、E、C极； ⑵ NPN型硅管，U1 、U2 、U3引脚分别对应C、B、E极。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 分析此类题目的步骤是： ① 确定硅管或锗管，确定集电极C。 三极管工作在放大区时UBE：硅管约0.6～0.7V，锗管约0.2～0.3V。据此，可寻找电压差值为该两个数据的引脚。若为0.6～0.7V，则该管为硅管；若为0.2～0.3V，则该管为锗管，且该两引脚为B极或E极，另一引脚为C极。 题⑴中U1 U2、题⑵中U2 U3符合此条件，因此可确定：题⑴为锗管，U3引脚对应C极；题⑵为硅管，U1引脚对应C极。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ② 确定NPN型或PNP型。 三极管工作在放大区时，满足CB结反偏条件，NPN型C极电压高于BE极；PNP型C极电压低于BE极。因此比较C极电压与BE引脚电压高低，可确定NPN型或PNP型。 题⑴中U3低于U1 U2，为PNP型；题⑵中U1高于U2U3，为NPN型。 ③ 区分B极和E极。 三极管工作在放大区时，NPN型各极电压高低排列次序为UC＞UB＞UE；PNP型各极电压高低排列次序为UC＜UB＜UE。 题⑴中U1为B极，U2为E极；题⑵中U2为B极，U3为E极。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 第1章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.1.1 PN结 ⒈ 半导体的导电特性 ⑴ 掺杂特性。 ⑵ 热敏和光敏特性。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ⒉ N型半导体和P型半导体 ⑴ N型半导体 ⑵ P型半导体 4价元素掺入微量5价元素后形成。 多数载流子：电子；少数载流子：空穴。 4价元素掺入微量3价元素后形成。 多数载流子：空穴；少数载流子：电子。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 图1-1 本征半导体与掺杂半导体结构示意图 a) 本征半导体 b) N型半导体 c) P型半导体 Evaluation only. Create