第2章 光电检测器件工作原理及特性.ppt

4、响应时间τ： 响应时间是描述光电检测器对入射辐射响应快慢的参数。即入射光辐射到检测器后或入射光被遮断后，光电检测器件输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需要的时间。 当一个辐射脉冲照射光电检测器时，如果这个脉冲上升和下降时间很短，则光电检测器由于惰性而有延迟。 上升时间τr和下降时间τf 矩形光脉冲 入射光 t O τr τf I光 t O 1 0.1 0.9 5、频率响应S(f)： 由于光电检测器信号的产生和消失存在着一个滞后过程，所以入射光辐射的频率对光电检测器的响应将有很大的影响，把光电检测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称为频率响应。 利用时间常数可得到频率响应关系： S(f)=S0/[1+(2πfτ)2]1/2 S0为频率是零时的响应度；τ为时间常数。 可求得放大器的上限截止频率：f上=1/2πτ=1/2πRC 可见： 光电检测器电路时间常数决定了频率响应带宽 6、热噪声： 当入射辐射功率很低时，输出只是些杂乱无章的变化信号，无法肯定是否为入射辐射信号，这是检测器固有的噪声引起的。其时间平均值为零，但均方根不等于零，即存在瞬时电流扰动。这个均方根电压（或电流）即为噪声电压（流）。热噪声是由载流子无规则运动造成的。 热噪声电压和电流均方值为：U=4kTRΔf I=4kT(Δf/R) 其中R为导体电阻，k为玻耳兹曼常数，T为导体的热力学温度，Δf为测量系统的噪声带宽。 热噪声存在于任何电阻中，与温度成正比，与频率无关，说明热噪声是由各种频率分量组成，可称为白噪声。 7、散粒噪声： 或称散弹噪声，即穿越势垒的载流子的随机涨落（统计起伏）所造成的噪声。 理论表明，在每个时间段内，穿越势垒区的载流子数或从阴极到阳极的电子数都在一个平均值上下起伏。这种起伏引起的均方噪声电流为： I=2qIDCΔf 其中IDC为流过器件电流的直流分量（平均值）,q为电子电荷， 散粒噪声也属于白噪声。 8、信噪比（S/N）： 信噪比是判断噪声大小通常使用的参数。它是在负载电阻RL上产生的信号功率与噪声功率比。 S/N=PS/PN=IS2RL/IN2RL=IS2/IN2 用分贝（dB）表示： （S/N)dB=10lg(IS2/IN2)=20lg(IS/IN) S/N的大小与入射信号辐射功率及接收面积有关，入射辐射强，接收面积大，则S/N就大。但性能不一定就好，对两种光电器件只有在相同信号辐射功率相同情况下才能比较。 9、线性度（非线性误差δ）： 线性度是描述光电检测器输出信号与输入信号保持线性关系的，即在规定范围内，光电检测器的输出电量正比于输入光量的性能。光电检测器件的响应度是常数的范围称为线性区。 δ=Δmax/(I2-I1) 实线为实际响应曲线 虚线为拟合直线 Φ I O I2 I1 光电检测器线性区的大小与检测器后电子线路有很大关系：线性区的下限一般由光电器件的暗电流和噪声因素决定，上限由饱和效应或过载决定。还随偏置、辐射调制及调制频率等条件的变化而变化。 10、工作温度： 光电检测器的工作温度是最佳工作状态时的温度，是光电检测器重要的性能参数之一。 光电检测器工作温度不同，工作性能将会有所变化。 例如HgCdTe（汞镉碲）检测器在液氮温度时，有较高的信噪比，而锗掺铜光电导器件在4K左右时，有较高的信噪比；如果温度升高，它们的性能会逐渐变差，以致无法使用。 又如InSb（锑化铟）器件，工作温度在300K，长波限为7.5um，峰值波长在6um，工作温度为77K时，长波限为5.5um，峰值波长为5um，变化明显。 对于热电检测器，环境检测工作温度变化会使响应度和热噪声发生变化， 作业思考题 简述光生伏特效应的工作原理，为什么光生伏特效应器件比光电导效应器件有更快的响应速度。 比较光电效应和光热效应在作用机理、性能及应用特点等方面的差异。 * * 除了特殊用途的光源（如红外光源和紫外光源）外，大量的光源是作为照明用的。照明光源的特性只用前面所述的一写能量参数来描述是不够的，因为能量参数并没有考虑到人眼睛的作用。由于照明的效果最终是以人眼来评定的，因此照明光源的光学特性必须基于人眼视觉的光学参量及光度量来描述。 半导体对光的吸收 物体受光照射，一部分光被物体反射，一部分光被物体吸收，其余的光透过物体。 吸收包括：本征吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶体吸收 本征吸收——由于光子作用使电子由价带跃迁到导带 只有在