单片机只读存贮器剖释.doc

§2.1 只读存储器 只读存储器(ROM)的特点是：其内容是预先写入的而且一旦写入，使用时就只能读出不能改变，掉电时也不会丢失，ROM器件还具有结构简单、信息度高，价格低，非易失性和可靠性高等特点。 对ROM内容的设定(写入)称为编程，根据编程方式的不同，ROM可分为四类： 掩膜ROM(MaskROM) 可编程ROM(即PROM) 可擦除可编程ROM(EPROM) 电可擦除可编程ROM(EEPROM)。 2．1．1 掩膜型ROM 掩模型ROM中的信息是由生产厂家根据用户要求(给定的程序和数据)对芯片图形掩膜后进行两次光刻而制成的，所以，生产第一片这样的ROM是很昂贵的，但复制同样内容的ROM就很便宜，因而掩膜式ROM适用于成批生产的定型产品，如用于存放PC/XT的BIOS，BASIC语言解释程序，或系统监控程序等。 掩膜ROM中的每个存储元电路只需用一个偶合元件，一般可用二极管、MOS晶体管、双极型晶体管构成。一般MOS型的集成度高、功耗小、但速度慢，双极型的速度快，但功耗大，所以只适用于速度要求较高的系统中。 图所示为一个简单的4×4位MOS型ROM，采用单译码结构，两位地址线A1A0译码后可译出四种状态(00，01，10，11)，输出4条(字)选择线，可分别选中四个单元，每个单元有4位数据(D3一D0)输出。 掩膜ROM示意图 在图中所示的矩阵中，在行和列的交叉点上，有的连有MOS管，有的没有连，这是生产厂家根据用户提供的程序来决定的。有管子表示该位为“0”，没有管子，表示该位为“1”。 若地址线A1A0＝00，则选中0号单元，即字线0为高电平，则凡与该行相连的MOS管导通(如D2、D0列)，对应的位(列线)输出为0，而不与该行相连的列线(位)因无MOS管而输出为“1”，如D3、D1两列为1，则第一行(即第0单元)输出D3——D0＝1010。可见存储器的内容取决于制造工艺。下表为上图存储矩阵的存放内容。 2．1．2 可编程ROM(PROM) 为了方便用户根据自己的需要确定ROM的内容，提供了一种可编程ROM(即PROM)，它允许用户编程一次。 在 PROM中，通常用二极管或双极型三极管作存储单元。 右图所示是用双极型三极管作存储元电路的，在这种存储单元中，每一位三极管的发射极上串接一个可熔金属丝，出厂时所有管子发射极上的熔丝是完整的，管子可将位线和字线连通，表示存有信息“0”(即整个芯片末使用前全为“0”)。 用户编程时，根据程序要求，对需要写入“l”的位，通以足够大的脉冲电流[典型的熔断电流为(50—100)nA，周期为几个微秒]，使相应位的熔丝烧断，该位便存入信息“l，，。末被熔断的位仍为“0”，从而实现了信息的一次性写入。 虽然PROM可由用户自由编程写入信息，但由于熔丝一旦编程烧断，就无法恢复，所以，PROM只允许用户编程一次，这对需要经常修改程序内容的应用场合是很不方便的。 目前，很多OTP型的单片机就是一次性编程的。 2．1．3 可擦除可编程R0M(EPROM) 1．结构 掩膜型ROM和PROM中的内容一旦写入，就无法再改变，为了开发方便，可以擦除重写的可编程只读存贮器应运而生。 EPROM由于是以浮栅型MOS管作存储单元，它里面存储的内容可以通过紫外线光的照射而被擦除，而且又可再用电流脉冲对其重新编程写入程序或数据，而且还可多次进行擦除和重写，故称为可擦除可编程序ROM，因而EPROM得到了广泛的应用。 2．典型EPROM芯片介绍—— 2764 典型EPROM芯片有多种型号，常用的有：2716(2K×8)、2732(4K×8)、2764(8K×8)、 27128 (16K×8)、27256(32K×8)等。下面以2764(8K×8)芯片为例，说明EPROM的性能和工作方式。 Intel2764是8K×8的EPROM。图所示是2764的外引脚和功能框图。 管脚定义如下： A0一 A12：地址线，13位(对应8K存储单元)，输入； O7 — O0：数据线，8位，双向，编程时作数据输入线，读出时作数据输出线； ： 片选允许，输入,低电平有效； ： 输出允许，输入,低电平有效，连读信号； ： 编程脉冲控制端，输入，连编程控制信号； Vpp： 编程电压输入端； Vcc： 电源电压，十5V。 工作方式 2764有4种工作方式：读方式、编程方式、检验方式和备用方式， ●读方式 这是2764最常使用的方式，在读方式下，Vcc和Vpp均接十5V电压，接低电平，从地址线A12——A0接收CP