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Guangzhou College of SCUT 1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的伏安特性 五、PN结的电容效应 一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素(低价元素)，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 2、本征半导体的结构 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴 本征半导体中自由电子与空穴是成对出现。 共价键 自由电子带负电，空穴带正电。 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定。 载流子 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。 3、本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 1. N型半导体 磷（P） N型半导体主要靠自由电子导电。掺入杂质越多，自由电子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 多数载流子 自由电子为多数载流子(多子)，空穴为少数载流子(少子) 二、杂质半导体 2. P型半导体 硼（B） 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强。 在杂质半导体中，多子的浓度约等于所掺杂质原子的浓度，受温度影响小；而少子的浓度很低，但受温度影响明显。 空穴为多数载流子(多子)，自由电子为少数载流子(少子) 三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 扩散运动 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低，出现负离子区；靠近接触面N区的自由电子浓度降低，出现正离子区，产生内电场，阻止扩散运动的进行。 扩散运动---多子 PN结的形成 漂移运动---少子 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场(方向从N区→P区)，从而阻止扩散运动的进行。 内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动，称为漂移运动。 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。 PN结的单向导电性 四、PN结的伏安特性 PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为： Is为反向饱和电流 UT为温度的电压当量 PN结的伏安特性曲线为： 当反向电压超过一定数值U(BR)，反向电流急剧增加，称为反向击穿。 击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿。 五、PN结的电容效应 1. 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散过程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ 作业 P67 自测题一 （1）~（3） P69 习题 1.1 （1） * 本讲主要介绍有关半导体的基本知识，为讲清半导体器件的工作原理作准备。 讲课思路：需讲清楚为什么由导电性能居中的半导体→导电性能极差的本征半导体→导电性能可控的杂质半导体→具有单向导电性的PN结。 并说明温度对载流子数目及浓度的影响，为阐明半导体器件的温度稳定性差打下伏笔；说明PN结的电容效应，为阐明半导体器件的最高工作频率和模拟电子电路的频率响应打下伏笔。 使学生掌握的基本术语：本征半导体、自由电子和空穴、复合、N型半导体和P型半导体、扩散运动和漂移运动、动态平衡、PN结的单向导电性、结电容 * 一定温度下，载流子浓度一定，是动态平衡的作用。 * 本征半导体是电中性的。 * N型半导体由于自由电子数增加，载流子复合的