热中子截面测量（附件）.docVIP

V-51的热中子俘获截面测量 摘要：利用活化法和相对测量法对截面未知样品V-51进行进行热中子截面的测量，并与标准核数据进行比较，分析误差。 关键词：热中子俘获截面：活化法，相对测量法；Al-27，V-51;半衰期； 一 引言 实验目的： 熟悉掌握相关实验仪器的原理与使用 掌握相对测量法测量热中子界面的基本原理 利用所学知识对独立自主设计实验的熟悉 实验原理： 相对测量法： 利用已知热中子截面的Al-27进行活化，对活化后的样品进行γ计数，利用公式可以得到在该样品活化点的热中子通量，将待测样品v-51放置在相同活化地点至饱和，利用NaI闪烁体探测器对其进行γ计数，由于在同一活化地点具有相同的通量，所以算出样品v-51的热中子俘获界面。 活化法： 利用样品在中子源的辐照下被活化，通过NaI闪烁体探测器测量活化后样品的γ放射性，可以得到样品活化处的中子通量。 实验器材及软件： NaI闪烁体探测器 SG1121（75*75） 多道分析系统 示波器 电光分析天平 游标卡尺 中子屏蔽腔（铅） 胶带 镊子 MCNP 5 多道分析软件MCA16K 实验样品： Al-27 V-51 标准样品源Co-60 Cs-137 实验步骤： 1 熟练掌握MCNP 5 和 多道分析软件的使用。 2 测量实验样品的三维尺寸和质量（见表一和表二） 3 利用标准源进行能量刻度。 4 分别将样品放入中子源进行活化（20分钟），活化完成后开始计时（t0=0,t1 ,t2)，利用NaI闪烁体探测器和多道系统对活化样品进行计数，并且记录相关数据（见表三）。 5 每个样品计数完成后，在相应道数对其进行本地计数的测量并且记录数据（见表四）。 6 利用MCNP5对NaI探测器对活化后样品的探测效率的模拟（见表五）。 7数据处理，利用相对测量法算出V-51的热中子俘获截面。 8 误差分析以及实验总结。 实验数据处理： 表一 样品的尺寸和质量 样品 长(mm) 宽(mm) 高(mm) 质量(g) Al1 63.24 31.66 11.24 45.540 Al2 54.06 31.24 10.64 39.644 V 49.50 42.46 4.88 17.440 表二 样品的γ计数及其相应本底计数 第一次测量： 样品 (s) (s) (s) 净面积(个) 本底（个） 净计数（个） V 0 191.59 519.59 55299 1220 54079 Al1 0 15.74 315.74 9821 181.5 9640 Al2 0 16.28 216.28 7316 84.3 7232 第二次测量： 样品 (s) (s) (s) 净面积(个) 本底(个) 净计数（个） V 0 16.14 516.14 58426 626.7 57799 Al1 0 17.26 217.26 7767 69.3 7698 Al2 0 12.77 312.77 10196 111 10085 查表可知： ： 2.24 min λ==5.5173× : 3.473 min λ==3.0864× 对于已知界面的Al,其截面0.241 b 对表一数据通过计数后可得到：的 （个） 的 （个） 由于使用的V样品为,所以样品中V 的实际 （个） 对Al-28和V-51，分别用MCNP 5进行模拟NaI探测器对其γ的探测效率： Al-28: 由MCNP 5的模拟结果可知 探测效率η=4.1636％ （Al1) η=4.3449％ （Al2) V-52: 由MCNP 5的模拟结果可知 探测效率η=5.8909％ （V) 由公式代入Al的核数据可以得到中子通量. 对于第一次测量得到的可得： 6723.126 7107.624 对于第二次测量得到的可得： 6618.714 7948.440 对两次测量所得到的的中子通量取平均值得到 7104.303 将得到的和V的数据代入公式 可得到 V-51的截面： 第一次测量 4.6704 b 第二次测量 4.9387 b 所以V-51的平均截面 4.8045 b V-51的标准截面为5 b，所以误差％ 误差分析： 1 所使用的Al样品部分被氧化，使实际的小于理论，造成结果误差，使偏小。 2 测量时仪器工作不稳定造成峰位偏移使峰位的净面积有偏差。