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元旦大礼包——材料科学基础试题答案整合,
材料学基础历年考题汇总(南策文)
2003(赵禹程做)
1、 什么叫倒易晶胞?
2、 什么叫对称操作,点群,空间群。
3、晶体显微结构包括哪些方面?
4、Neumann原理的含义和应用。
5、写出Zr2O5掺杂ZnO缺陷方程式及形成何种点缺陷。
6、解释两种空间群的含义,说明属于何种点群。
7、6mm晶系的二阶张量的独立分量。
8、 详细解释M-G公式的含义及应用。
9/立方,四方,六方的特征对称元素。
立方:在 [111]方向存在3
四方:在[001]方向存在4或。
六方:在[001]方向存在6或
2004(双爽、张冉冉做)
1 为什么14种布拉维格子中没有底心立方
2 显微结构的拓扑特征包含哪些,意义何在
3 什么叫对称操作,点群,空间群,写出立方,四方,六方晶系的特征对称元素
4 TiO2中加入Nd2O5,写缺陷方程式,判断缺陷类型,分析能带变化2TiNd+2OO+V**O
5 判断I4(-3)d空间群三阶张量的独立分量(似乎题出错了,没这个空间群,难道是I(-4)3d)
6 混合法则中串联法则和并联法则的含义和应用
7 给课程提建议
2005(已有答案)
1、 MgO是Fm3m空间群,问110和111面那个面Mg的原子面密度大。
2、 解答:Fm3m空间群说明:MgO属于面心立方点阵。假设点阵参数为,那么在O原子占据格点FCC晶胞中格点阵位置,Mg原子处于体心和各条棱的中点。110面的面积为,而110面上的Mg原子数为,因此面密度为。同理,111面的面积为,原子数为[ 111面由(1/2,0,1)、(0,1/2,1)、(1,1/2,0)、(1/2,1,0)四个Mg原子围成],因此面密度为。所以,111面上的Mg的原子面密度更大。
Jieda2 F:面心。m3m为立方晶系。故为面心立方结构。
其中氧原子较大,占据面心立方点阵位置,Mg2+离子位于所有八面体间隙中。
在110面上,面积,有Mg2+离子2个
在111面上,面积,有Mg2+离子2个。
相同离子数,111面的面积小,
故在111面上Mg的原子面密度大
3、 立方,四方,六方的特征对称元素。
解答:各晶系的特征对称元素如下:
立方晶系: 4个立方体对角线方向的三重轴;
六方晶系: 惟一高次轴方向有六重轴或六重反轴,即有一个6次对称轴或者6次倒转轴;
三方晶系: 惟一高次轴方向有三重轴或三重反轴;
四方晶系,惟一高次轴方向有四重轴或四重反轴;
正交晶系:三个互相垂直的二重轴或二重反轴;
单斜晶系:只在一个轴方向存在二重轴或二重反轴;
三斜晶系:只存在一重轴或一重反轴。
3、-42m是否有压电性,有的话有几个独立分量。
解答: -42m点群属于四方晶系,而四方晶系的主轴、二次轴、三次轴的方向分别为:[001]、[100]、[110]。因此
a),由2∥[100], 则有,,,那么所有含有偶数个下标为1的分量=0;只保留下标组合:111,1+2+2,1+3+3,1+2+3
b),由m⊥[110],则有 ,,,那么结合条件a),那么所有含有偶数个下标为2的分量=0;只保留下标组合:222,1+1+2,2+3+3,1+2+3因此,结合a)和b),只保留下标组合:1+2+3,即(123,132),(213,231)和(312,321)。
c),由-4∥[001],则有,, ,
所以-42m有压电性,独立变量有两个,其压电常数矩阵为:
4、 SnO(2-x)如何增加或降低电导。
解答:由于SnO(2-x)属于缺阴离子型,其缺陷反应为:
,因此SnO(2-x)于n型半导体,电子导电。
那么,反应的平衡常数表示为],“[]”表示浓度,又因为
因此,,所以
所以我们可以通过改变氧分压来控制SnO(2-x)中的氧空位或电子浓度,来改变电导率。氧分压升高,电子浓度减小,电导率降低;氧分压降低,电子浓度增大,电导率升高。
5、材料A介电常数5,材料B介电常数为200,如何设计复合材料使得介电常数尽可能的大。(各向同性和各向异性的)
a) 对于1-3或2-2型的两相复合材料,在界面没有异常情况下,介电常数的平均值由混合法则得出一个范围。上限由并联法则确定,下限由串联法则确定。
并联法则:,串联法则:,以及
所以由并联法则确定的上界限表示为:
那么,(1)(是材料B的体积分数)
b)对于0-3型的两相复合材料,初始公式如下,分三种情况讨论进行讨论。
1) 当填充颗粒为纤维或晶须时, L11=L22=0.5, L33=0, 公式化为:
那么(2)
2)当填充颗粒为薄片时,L11=L22=0, L33=1,公式化为:
那么(3)
3) 当填充颗粒近似为球时,L11=L22=L33=1/3。(适用M-G 公式):
那么(4)
不管取(0,1)内的哪个值,都是(1)式的介电常数最大。因此材料
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