第8章数字集成电路晶体管级设计导论.ppt

集成电路设计技术与工具 第八章 数字集成电路晶体管级设计 基本要求 掌握数字集成电路晶体管级设计的设计流程和电路仿真类型； 掌握数字标准单元库的原理和库单元的设计； 掌握焊盘输入单元、输出单元和双向三态单元的设计。 内容提要 8.1 引言 8.2 设计流程 8.3 电路仿真 8.4 版图设计 8.5 设计举例 8.6 数字电路标准单元库简介 8.7 焊盘输入输出单元 8.1 引言 数字集成电路是处理数字信号的集成电路。（数字信号：时间及幅度离散。幅度，通常取两电平。） 数字集成电路设计主要考虑： 电路的信号传输速度、信号的延迟、信号的同步处理和异步处理、信号的冲突等问题。 与模拟集成电路相比，由于数字集成电路设计更侧重于电路的集成度、工作速度、功耗和噪声容限等性能指标。 数字集成电路晶体管级设计主要就是设计数字集成电路中的非门、与非门和或非门等基本单元。 VLSI vs.小规模 vs.超高速 数字集成电路的基本电路按有源器件来分类，可分为双极型晶体管（Bipolar Transistor）和场效应晶体管(FET)两大类。 由双极型晶体管构成的电路类型包括晶体管逻辑（TTL：Transistor-Transistor-Logic）和射极耦合逻辑（ECL：Emitter-Coupled-Logic）。 由场效应晶体管构成的电路类型分为增强/耗尽（E/D）型NMOS