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模拟集成电路基本三—4
3. 威尔逊电流源有源负载(续) Io D1 G2 S1 S3 gds1 gm1Ugs1 gm2Ugs2 gmbUbs2 Ugs2 Ugs3 Uo Uds2 G1 G3 S2 D3 Uds3 1/gds3 rds2 1/gm3 Uds1 由图可列出方程 Uds1= - gmUgs1rds1 rO= UO IO Uo=Uds2+Uds3 Uds1=Ugs2+Uds3 Uds3=Ugs3=Ugs1= Io gm3+gds3 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Uds1= - gmUgs1rds1 Uo=Uds2+Uds3 Uds1=Ugs2+Uds3 Uds3=Ugs3=Ugs1= Io gm3+gds3 3.威尔逊电流源有源负载(续) gmgmbgds gm1=gm2=gm3 rdsgm1 1/gm较小 ro≈gm1 rds1 rds2 =AU1rds2 AU11 威尔逊电流源做有源负载可得到高阻抗。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N1 N2 五、MOS管电流源 1.MOS电流镜(基本电流源) UDD 由两个几何尺寸相同的MOS管组成 IR Io IG Id1 基准管 输出管 N1管的漏电流: N2管的漏电流: ∵ IG=0 ∴Id1=IR, Id2=IO IO = IR 两沟道宽长比相同 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N1 N2 UDD IR Io IG Id1 1. MOS电流镜(续) N1--基准管 固定基准电流IR N2--输出管 输出电流IO IO = IR 理想电流源: 内阻Ri=∞ 而N2的输出电阻rds2为有限值 该电流源不是理想电流源 其输出电流只是一个近似恒定值,即存在一个误差项, 误差越小,电流源越接近理想电流源。 误差项 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.威尔逊电流源 N2 N3 N1 Io IR UO ro 减小误差项,提高精度。 即误差大为减小 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.几何比电流源 N1 NR IR I01 N2 I02 NR、N1、N2的几何尺寸不同 设三个管子的沟长比分别为: SNR,SN1,SN2 仿前面电流镜推导,可得: 由于输出电流与管子的几何尺寸成比例,改变沟长比,可得到与IR成任何比例关系的电流源。 由式可看出: Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 交流参数 5. 极间电容 Cgs—栅极与源极间电容 Cgd —栅极与漏极间电容 Cgb —栅极与衬底间电容Csd —源极与漏极间电容 Csb —源极与衬底间电容 Cdb —漏极与衬底间电容 主要的极间电容有: Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 场效应管的极限参数 1. 栅源击穿电压UGS,B 2. 漏源击穿电压UDS,B 3. 最大漏极好三功率PDM 4. 温度特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 各类绝缘栅场效应三极管(即MOS管)的特性曲线
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