模拟电子的技术—二极管.pptVIP

* Department of Electronics and Information Science /dxx/Index.html * Computer Communication Networks Chen Yu-feng 陈宇峰 Department of Electronics and Information Science Hubei Automotive Industries Institute Email：cyfhbqy@163.com 第二章 半导体二极管及其基本电路 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.1 半导体的基本知识 物质导电: 导体、绝缘体和半导体。 半导体: 电阻率为10-3～109 ??cm。 常见半导体:硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs等。 1 本征半导体及其导电性 本征半导体：纯净的半导体。 纯度99.9999999%，常称为“九个9”。 单晶体形态——例如：“单晶硅”。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (1）本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素。每个原子的四个价电子互相形成共价键, 为它们所束缚，形成空间排列有序的晶体, 见图2.01。 图2.01 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 (c) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （2）电子空穴对 图2.02 本征激发和复合的过程（动画2-1） 电子空穴对: 热、光激发产生的自由电子和空穴对。 复合: 游离的自由电子回补空穴。 动态平衡：温度一定本征激发和复合达到平衡。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (3)两种载流子 1）电子：价电子。定向运动形成了电子流，带负电； 2）空穴：价电子离开后所留下的空位。它的运动方向与电子流相反，带正电。 （动画2-2） 图2.03 空穴在晶格中的移动 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2 杂质半导体 杂质半导体：本征半导体中掺入某些微量元素——杂质，所形成的半导体。 两种杂质半导体： N型半导体 P型半导体 杂质：一般是三价或五价元素（硼，磷）。 掺杂目的：改变半导体的导电性能。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N型半导体：电子型半导体。 (1）N型半导体 N型半导体：本征半导体中掺入五价元素磷形成。 N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由 杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 五价杂质原子，因提供自由电子成为带正电荷的 正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。图2.04。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (2) P型半导体 P型半导体：本征半导体中掺入三价元素硼形成。 P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三 价杂质 因而也称为受主杂质。如图2.05所示。 P型半导体：空穴型半导体 Evaluation only. Crea