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第14章节二极管与晶体管

第14章 二极管和晶体管 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件 本章作业 ⒈ 输入特性曲线 14.5 晶体管 IB/?A UBE/V 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE≥1V O 正常工作下的发射结电压:NPN型硅管:UBE = 0.6V~0.7V PNP型锗管:UBE=-0.2V~-0.3V 死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。 对硅管而言,当UCE≥1V时集电结已反向偏置,而基区又很薄,可把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。 此后,UCE对IB就不再有明显的影响。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 饱和区 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 放 大 区 ⑴放大区(线性区) ⒉ 输出特性曲线 ②e结正偏、c结反偏。 截止区 14.5 晶体管 ① ,IC近似恒定。 ⑵截止区 ①IB=0的曲线以下的区域。 ③IC≈0,发射极与集电极之间如同一个开关的断开。 ②e结与c结均反偏。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ⑶饱和区 14.5 晶体管 饱和区 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 放 大 区 截止区 ②e结与c结均正偏。 ③UCE≈0,发射极与集电极之间如同一个开关的接通。 ①UCE UBE , 。 可见,晶体管工作在放大状态,具有放大作用;工作在饱和状态或截止状态,具有开关作用。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 静态电流(直流)放大系数: 动态电流(交流)放大系数: 当晶体管接成共发射极电路时,在静态(无输入信号)时,有 14.5.4 主要参数 14.5 晶体管 晶体管的参数可以表示晶体管的特性,也是设计电路、选用晶体管的依据。 ⒈ 电流放大系数 , 在动态(有输入信号)时,有 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 14.5 晶体管 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 例:如图给出3DG100晶体管的输出特性曲线,⑴计算Q1点处的 ;⑵由Q1和Q2两点,计算 。 解: ⑴ ⑵ 和 的含义不同,但在输出特性曲线近于平行等距且ICEO较小的情况下,两者数值较为接近( )。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ⒉ 集-基极反向截止电流 ICBO ⒊ 集-射极反向截止电流ICEO (又称穿透电流) ICBO是当发射极开路时由于集电结处于反偏,集电区和基区中的少数载流子向对方运动所形成的电流。它受温度的影响大,其值越小越好。 ⒋ 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC 超过一定值时,晶体管的 ? 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流。 14.5 晶体管 ICEO是当基极开路、集电结处于反偏和发射结处于正偏时的集电极电流,其值越小越好。 Evaluation only.

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