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第四章 场效应管放大器 4.1 结型场效应管: 符号： 二、工作原理（以N沟道为例） 漏源电压VDS对iD的影响 4.1.2 伏安特性曲线及参数 （2）恒流区：(又称饱和区或放大区） （3）夹断区： 2、转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.3.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 2、N沟道增强型场效应管的工作原理 N沟道增强型场效应管的工作原理 栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用 2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 增强型MOSFET的工作原理 MOSFET的特性曲线 2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RGS 场效应管与晶体管的比较 耗尽型 4.4 场效应管放大电路 (2) 分压式偏压电路 4.4.2 小信号模型分析法 2.用小信号模型进行交流分析 例4.4.2 源极输出器 低频模型 高频模型 跨导 漏极输出电阻 1. 小信号模型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 小信号等效电路 （1）电压放大倍数 (2) 输入电阻 (3) 输出电阻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G 一、静态分析 US?UG UDS=UDD- US =20-5=15V Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 二、动态分析 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 输入电阻 ri Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 输出电阻 ro 加压求流法 g d 微变等效电路 ro ro? R2 R1 RG s RS Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ● 导电沟通： 从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。 ● 场效应管： 场效应晶体三极管是由一种载流子（多子）导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件，具有输入阻抗高，温度稳定性好的特点。 ● 分类： 按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。 ● 器件外形： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G栅极 S源极 D漏极 一、结构 导电沟道 PN结（耗尽层） 4.1.1 结构和工作原理 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011