计算机电路基本演示课件.pptVIP

* 由于热激发而 产生的自由电子 自由电子移走后 而留下的空穴 图3-1 电子、空穴对的产生 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 邻近电子只空位 留下可移动空穴 可移动的空穴 杂质原电子接受一个 电子成为负离子 图3-2 P型半导体的共价键结构 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 杂质原子提供 的多余电子 杂质原子失去一个 电子成为正离子 图3-3 N型半导体的共价键结构 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P型区 空间 电荷区 N型区 内电场 图3-4 PN结的形成 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 外电场 1 2 2 1 IF UF 1′2′ 2′ 1′ 内电场 外电场 2 1 1 2 IR UF 2′1′ 1′2′ 内电场 P N P N ? 图3-5　PN结加正向电压 图3-6　PN结加反向电压 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 图3-7 半导体二极管的结构及符号 （a）点接触型；（b）面接触型；（c）平面型；（d）符号 阳极 N型锗片 阴极 引线 引线 阳极 阴极 引线 引线 阳极a k阴极 阳极引线 PN结 金锑合金 底座 阴极引线 (a) 触丝 外壳 铝合金小球 （b） N型硅 P N P型支持衬底 （c） （d） 阳极a k阴极 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 90℃ 20℃ -60℃ iD/mA 20 15 10 5 0 -60 -40 -20 0.2 0.4 0.6 ① uD/V ② ③ -10 -20 -30 -40 iD/?A iD/mA uD/V -60℃ 90℃ 20℃ ?图3-8 锗二极管2AP15的伏安特性 图3-9 温度对二极管伏安特性的影响 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. a + - k ΔuZ uZ iZ/mA uZ/V A C ΔiZ O （a） （b） 图3-10 稳压管的电气符号与伏安特性 （a）符号；（b）伏安特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. RL iO(iL) R iZ iR uo + - + - VDZ ui 图3-11 简单的稳压电路 Evaluation only. Crea