第七章場效電晶體.doc

第六章場效電晶體 共七頁 一..變壓器耦合放大器：阻抗完全匹配時,可獲得最大的功率轉移,常用於放大器揚聲器的交連電路 阻抗匹配： = 1.如圖(1)中,欲使喇獲得最大功率,則變壓器匝數比N1:N2為(A)36:1 (B)1:36 (C)6:1 (D)1:6 [82中夜] 2.一阻抗匹配變壓器,若次級(N2)接一16(負載,欲使初級(N1)有效電阻為10K(,則其匝數比 (a=N1/N2)應為多少？(A)625 (B)125 (C)25 (D)5 (E)1 [86四技二專] 圖(1) 二.場效電晶體分類與特性： 1.場效電晶體的電流僅由多數載子所決定,P通道為電洞,N通道為電子,故稱為單極性電晶體。 2.電晶體由IB控制Ic,屬於電流控制元件,而場效電晶體由Vgs控制ID,屬於電壓(電場)控制元件 3.FET之分類： (1)JFET:接面場效電晶體,分為P通道(閘極為N型材料)及N通道(閘極為P型材料) (2)MOSFET:金屬氧化半導體場效電晶體,分為增強型及空乏型。 4.優點： (1)輸入阻抗高(數M() (2)作為開關時,FET沒有偏移電壓(抵補電壓offset voltage),BJT有0.2V (3)熱穩定度比電晶體佳 (4)積體電路中所佔體體少 (5)雜訊低 5.缺點：與電晶體比較 (1)增益頻寬積小於電晶體 (2)操作速率小於電晶體,高頻響應較差 (3)電壓與電流增益較電晶體為小 三.JFET的構造與特性：利用Vgs逆向偏壓控制接面空乏區厚度通,Vgs愈大空乏區厚度愈大,通道 電流ID愈小 1.VGS為定值時：(1)VDS=0,則ID=0 (2)當VDSVp時,ID與VDS成正比,為電阻區(歐姆區) (3)當 VDS(Vp,通道寬度受限制,ID為定值,稱為飽和區或稱定電流區 (4)當VDS超過其接面額定時,ID 迅速增加,稱為崩潰區。Vp(夾止電壓)=VGS(OFF)(閘源極截止電壓) 2.VDS為定值時：(1)VGS加順向偏壓時,IG,ID皆增加,JFET無法正常工作(2)當VGS閘極加逆向偏壓 時,空乏區大小厚度與逆偏壓成正比,通道厚度與ID的大小成反比,工作時通常VGS加逆偏壓, 以控制ID的大小, 愈大,ID愈小 3.定電流區ID=IDSS(1- IDSS汲極飽和電流(VGS=0時IDS),JFET最大汲極電流 Vp=VGS(OFF) 夾止電壓(閘源極截止電壓),ID=0時的VGS，ID與VGS 關係曲線為拋物線 [例]某個JFET(接合型場效電晶體)其IDSS=12mA,Vp=-4V, 若當其VGS設計為-2V時,其洩極電流 ID應為多少mA？ 4.gm共源極順向轉換互導 gm= gm=gmo(1-姆歐S(A/V) gmo= [例]一個IDSS=12mA,VGS(OFF)=Vp=-4V的JFET,若工作點設計在VGS=-1.5V時,該JFET的gm值應 為？ 3.某個JFET(接合型場效電晶體)其IDSS=12mA,Vp=-4V,若當其VGS設計為-2V時,其洩極電流ID 應為多少mA(A)3 (B)6 (C)9 (D)12 [78保甄] 4.場效電晶體(FET)與電晶體相比較,下列何者是場效電晶體的優點？(A)電壓增益較大 (B)輸入 阻抗較大 (C)頻帶寬較大 (D)電流增益較大 [78保甄] 5.JFET元件,gm是一重要參數,其定義為(A)gm= (C)) [79保甄] 6.一個IDSS=6mA,Vp=-6V的JFET,當其工作於VGS=-3V時,它的互導gm為(A)0.25ms (B)0.5ms (C)1ms (D)2ms [81保甄] 7.FET是利用(A)電場 (B)磁場 (C)壓電 (D)電磁場效應 控制電流之元件 [81中夜二專] 8.下列有關場效電晶體(FET)的特性敘述,何者正確？(A)輸入阻抗極低 (B)抵補電壓(offset voltage)極高 (C)不適合超大型積體電路(VLSI)製作 (D)不適合雙向開關使用 (E)輸入阻抗極高 [81四技二專] 9.接面場效電晶體(JFET)之工作原理是控制(A)通道中載子的濃度 (B)通道之導電係數 (C)通道 接面的電流(D)接面空乏區的厚度 [82中夜二專] 10.下列有關場效應電晶體FET之敘述何者不正確？(A)傳導電流僅由多數載子負責 (B)傳導電 流之大小由靜電場控制 (C)輸入阻抗一般較雙極性接面電晶體BJT還高 (D)載子為電洞者稱為P 通道(channel)FET (