现代加工技术-化学加工讲述.ppt

2.1.5腐蚀 * 　　经固膜后的金属版，放在腐蚀液中进行腐蚀，即可获得所需图像。 腐蚀坡度 例如腐蚀锌版，其保护剂是由磺化蓖麻油等主要成分组成。 　　腐蚀铜版的保护剂由乙烯基硫脲和二硫化甲脒组成，在三氯化铁腐蚀液中腐蚀铜版时，能产生一层白色氧化层，可起到保护侧壁的作用。 腐蚀坡度形成原理 侧壁保护机 另一种保护侧壁的方法是有粉腐蚀法，其原理是把松香粉刷嵌在腐蚀露出的图形侧壁上，加温熔化后松香粉附于侧壁表面，也能起到保护侧壁的作用。此法需重复许多次才能腐蚀到所要求的深度，操作比较费事，但设备要求简单。 2.2应用 （1）印刷工业上印刷版的制作 （2）用于诸如微电子技术、计算机技术等的各种印刷电路、集成电路、柔性印刷电路、各类高导磁铁芯片的微细加工。 （3）复制传统加工方法难以获得的复杂图案、花纹、文字等的加工。 2.光刻加工的原理和工艺 (1）光刻加工的原理、特点和应用范围 光刻是利用光致抗蚀剂的光化学反应特点，将掩膜版上的图形精确的印制在涂有光致抗蚀剂的衬底表面，再利用光致抗蚀剂的耐腐蚀特性，对衬底表面进行腐蚀，可获得极为复杂的精细图形。 光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像 。 光刻的精度极高，尺寸精度可达0.01～0.005mm，是半导体器件和集成电路制造中的关键工艺之一。 利用光刻原理还可制造一些精密产品的零部件，如刻线尺、刻度盘、光栅、细孔金属网板、电路布线板、晶闸管元件等。 (2）光刻的工艺过程 原图 曝光 显影 坚模 去胶 腐蚀 前烘 衬底加工 涂光刻胶 光刻掩膜版制备 1)原图和掩模版的制备 原图制备首先在透明或半透明的聚脂基板上，涂覆一层醋酸乙烯树脂系的红色可剥性薄膜，然后把所需的图形按一定比例放大几倍至几百倍，用绘图机刻制可剥性薄膜，把不需要部分的薄膜剥掉，制成原图。 在半导体集成电路的光刻中，为了获得精确的掩膜版，需要先利用初缩照相机把原图缩小制成初缩版然后采用分步重复照相机将初缩版精缩，使图形进一步缩小，从而获得尺寸精确的照相底版。再把照相底版用接触复印法，将图形印制到涂有光刻胶的高纯度铬薄膜板上，经过腐蚀，即获得金属薄膜图形掩膜版。 2)涂覆光致抗蚀剂 　　光致抗蚀剂是光刻工艺的基础，它是一种对光敏感的高分子溶液。根据其光化学特点，可分为正性和负性两类。 　　凡能用显影液把感光部分溶除而得到和掩模版上挡光图形相同的抗蚀涂层的一类光致抗蚀剂，称为正性光致抗蚀剂，反之则为负性光致抗蚀剂。 　　在半导体工业中常用的光致抗蚀剂有：聚乙烯醇一肉桂酸脂泵(负性)、双迭氮系(负性)和酯-二迭氮系(正性)等。 3)曝光 　　曝光光源的波长应与光刻胶感光范围相适应，一般采用紫外光，其波长约0.4μm。 　　曝光方式常用的有接触式曝法，即将掩模版与涂有光致抗蚀剂的衬底表面紧密接触而进行曝光。另一种曝光方式是采用光学投影曝光，此时掩模版不与衬底表面直接接触。 　　随着电子工业的发展，对精度要求更高的精细图形进行光刻时，其最细的线条宽度要求到1μm以下，紫外光已不能满足要求，需采用电子束、离子束或x射线等曝光新技术。电子束曝光可以刻出宽度为0.25μm的细线条。 4)腐蚀 　　不同的光刻材料需采用不同的腐蚀液。腐蚀的方法有多种，如化学腐蚀、电解腐蚀、离子腐蚀等，其中常用的是化学腐蚀法。即采用化学溶液对带有光致抗蚀剂层的衬底表面进行腐蚀。 5)去胶 　　为去除腐蚀后残留在衬底表面的抗蚀胶膜，可采用氧化去胶法，即使用强氧化剂(如硫酸-过氧化氢混合液等)，将胶膜氧化破坏而去除。也可采用丙酮，甲苯等有机溶剂去胶。 光化学蚀刻样件 * 三、化学抛光 化学抛光的目的是改善工件表面粗糙度或使表面平滑化和光泽化。 1.化学抛光 1.1原理 一般是用硝酸或磷酸等氧化剂溶液，在一定条件下，使工件表面氧化，此氧化层又能逐渐溶入溶液，表面微凸起处被氧化较快较多，微凹处则被氧化较慢较少。同样凸起处的氧化层又比凹处更多、更快的扩散、溶解于酸性溶液中因此使加工表面逐渐被整平，达到表面平滑化和光泽化。 1.2化学抛光的特点 可以大面或多件抛光薄壁、低刚度零件，可以抛光内表面和形状复杂的零件，不需外加电源、设备，操作简单，成本低。 其缺点是化学抛光效果比电解抛光效果差，且抛光液用后处理较麻烦。 1.3化学抛光的工艺要求及应用 (1)金属的化学抛光 常用硝酸、磷酸、硫酸、盐酸等酸性溶液抛光铝、铝合金、钼、钼合金、碳钢及不锈钢等。抛光时