3、MOS管研讨.pptVIP

第四章 场效应管及其基本放大电路 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 转移特性 输出特性 关键参数： 沟道长度 L 沟道宽度W 栅氧化层厚度 Tox 衬底掺杂浓度 Nsub 源漏pn结结深xj 1、阈值电压（开启电压） ——形成强反型状态时的栅极电压称为阈值电压 阈值电压VT是MOS晶体管的一个重要的电参数，也是在制造工 艺中的重要控制参数。VT的大小以及一致性对电路乃至 集成系统 的性能具有决定性的影响。 影响MOS晶的阈值电压VT 的因素: 介质的二氧化硅(栅氧化层)中的电荷以及电荷的性质；衬底的掺杂浓度; 栅氧化层厚度tOX；栅材料与硅衬底的功函数差。 （铝栅的ΦMS为-0.3V，硅栅为+0.8V。所以硅栅NMOS器件相对于铝栅NMOS器件容易获得增强型器件） 没有形成反型层，即源和漏之间无导电沟道。 ---恒流区 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 3. 分压式偏置电路 四、场效应管放大电路的动态分析 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 Ids=βn[(Vgs-Vtn)-Vds/2]Vds = βn【(Vgs-Vtn)2- (Vgd-Vtn)2】 ---线性区 （3）截止区：Vgs-Vtn≤0 Ids=0 （4）击穿区：电流突然增大，晶体管不能正常工作。 恒流区 转移特性曲线 2、PMOS管I~V特性 电流-电压表达式： 线性区：Isd=βp|Vds|(|Vgs|-|Vtp|-|Vds|/2) 饱和区：Isd=(βp/2)(|Vgs|-|Vtp|)2 MOS管版图 G S D （1）N沟增强： (b)N沟耗尽： 耗尽型NMOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 （C）P沟增强: （d）P沟耗尽: 三、场效应管静态工作点的设置方法 根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的电源 1. 基本共源放大电路 2. 自给偏压电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ 为什么加Rg3?其数值应大些小些？ 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ 即典型的Q点稳定电路 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 与晶体管的h参数等效模型类比： 1. 场效应管的交流等效模型 若Rd=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 * 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 场效应管 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c； 有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区 对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 一. 结型场效应管 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度，为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 uDG＞－UGS（off） g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： ---------- MOSFET Metal Oxide Semi-conduction Field Effec