GB/T 4061-2009硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法.pdf

犐犆犛２９．０４５ 犎 ８０ 中华人 民共和 国国家 标准 ／ — 犌犅犜４０６１ ２００９ 代替 — ＧＢ４０６１ １９８３ 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 犘狅犾犮狉狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀犲狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱犪狊狊犲狊狊犿犲狀狋狅犳 狔 狔 狊犪狀犱狑犻犮犺犲狊狅狀犮狉狅狊狊狊犲犮狋犻狅狀犫 犮犺犲犿犻犮犪犾犮狅狉狉狅狊犻狅狀 狔 ２００９１０３０发布 ２０１００６０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — 犌犅犜４０６１ ２００９ 前 言 　　 本标准代替 — 《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》。 ＧＢ４０６１ １９８３ 　　 本标准与原标准相比，主要有如下改动： ———增加了“术语”、“试剂与器材”； ———增加了“检验报告”内容； ———对试样尺寸的切取方向和试样处理内容增加了要求。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司。 本标准主要起草人：袁金满。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——— — 。 ＧＢ４０６１ １９８３ Ⅰ ／ — 犌犅犜４０６１ ２００９ 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 １ 范围 　 本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学 腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内 用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。 ２ 方法原理 　 本方法采用化学腐蚀法，根据氢氟酸 硝酸混合液对硅多晶断面氧化夹层及温度夹层腐蚀速率的差  别进行检验。 ３ 术语 　 ３．１ 氧化夹层 狅狓犻犱犲犾犪犿犲犾犾犪 　　 　 硅多晶横断面上呈同心圆状结构的氧化硅夹杂。 ３．２ 温度夹层 狋犲犿 犲狉犪狋狌狉犲犾犪犿犲犾犾犪 　　 　 狆 由于温度起伏，在硅多晶的横断