原创力文档- 1、本文档共8页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
35100KW储能逆变器损耗计算及热仿真
第一章 IGBT FF450R12ME4功率损耗计算
一个 IGBT 模块包括一个 IGBT 和一个并联二极管， IGBT 的损耗包括通态损耗和开关损耗，二极管的损耗包括通态损耗和关断损耗，本文分别对这四种损耗给出了计算公式并作了推导，然后再根据实际的实验所得的电流、电压相关参数以及IGBTFF450R12ME4技术参数计算出了该型号IGBT的功率损耗。
1．IGBT本身损耗计算
1.1单个IGBT通态损耗
因为单个 IGBT 模块只负责正半周波（或负半周波）电流流过，所以单个 IGBT 的通态损耗为：
（1）
式中：——端电压， ——电流， ——占空比。
与是非线性关系， 这正是 IGBT 损耗难以精确计算的根源之一。 与的典型曲线如图1所示，将与之间的关系用直线近似，则：
（2）
式中： ——门槛电压；
——IGBT 通态等效电阻，可通过厂家提供的与的曲线获得。
图1 与的典型曲线图 占空比如下式所示：
（3）
式中： M——调制比；
——电压电流相位差。
设电流的时域表达式为：
（4）
式中： ——电流峰值；
则电压的时域表达式为：
（5）
式中： ——电压峰值；
将（2）、（3）、（4）、（5）式依次代入（1）式，可得单个IGBT的通态损耗公式为：
（6）
根据FF450R12ME4数据手册以及实验平台所需的数据如下：
M=0.866
故，单个IGBT的通态损耗为：
1.2.单个IGBT开关损耗
设开关频率为，则半个周期内单个IGBT模块要开通关断各次，故单个IGBT模块的开关损耗为：
式中： ——IGBT开通一次损失的能量；
——IGBT管段一次损失的能量。
和随电流的变化规律是非线性的，很难用解析表达式准确定量描述。厂家一般提供额定电流电压或少数几种模态下的和曲线。经验表明，将和按线性化折算可以满足工程计算的需求，即：
式中： ——额定电流ICN和额定电压VCEN时IGBT开通一次损失的能量；
——额定电流 ICN 和额定电压 VCEN时 IGBT 关断一次损失的能量；
——直流母线电压；
——额定工作电流；
——额定工作电压。
根据FF450R12ME4数据手册以及实验平台所需的数据如下：
故
2.并联二极管损耗计算
2.1.单个二极管通态损耗
同IGBT的通态损耗计算公式推导方法一致，可得出二极管的通态损耗计算公式如下：
式中： ——二极管门槛电压；
——二极管通态等效电阻，可通过厂家提供的与的曲线获得。
根据FF450R12ME4数据手册以及实验平台所需的数据如下：
其余的数据由上节已经知道，故
2.2.单个二极管关断损耗
二极管的开通损耗可以忽略不计，仅计算其关断损耗。与IGBT的开关损耗计算公式推导方法一样，可得出二极管的关断损耗计算公式为：
式中
文档评论（0）