半导体分立元综述.ppt

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半导体分立元综述

格 物 致 新 · 厚 德 泽 人; 一. 半导体二极管;;半导体二极管的分类及符号 1)按其用途不同可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光敏二极管; 2)按其制作材料不同可分为锗二极管和硅二极管; 3)按其制作工艺的不同可分为点接触二极管和面接触二极管。 常用二极管的外形及符号如图。 (a)普通二极管(b)稳压二极管(c)发光二极管。;2、二极管的主要参数 ; 3. 半导体二极管的封装及常见的外观;常见的发光二极管;普通二极管;阻尼二极管;①按其结构,通常有点接触型和面结合型两类:;②按使用的半导体材料分:硅二极管和锗二极管; ;; 根据二极管正向电阻小,反向电阻大的特点,将万用表拨到电阻档(一般用R×100或R×1K档),用表笔分别与二极管的两极相接,测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次,与黑表笔相接得一端为二极管的正极。同理,在所测得较大阻值的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的负极。;(3)判断二极管质量的好坏;二、半导体器件的命名方法 (一).我国半导体器件的命名方法 根据中华人民共和国国家标准——半导体器件命名方法(GB249-74),器件型号由五部分组成,各部分的意义如表1.6所示。但场效应管、特殊半导体器件、PIN管、复合管和激光器件只用后三部分表示。            ;第一部分 ;第一部分 ;示例:(1)锗材料PNP型低频大功率三极管 ;示例:(2)硅材料NPN型高频小功率三极管;(二)国际电子联合会半导体器件命名法 西德、法国、意大利、荷兰和比利时等欧洲共同体市场的国家以及匈牙利、罗马尼亚、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会规定的命名方法。这种方法的组成部分及符号意义如表1.7所示(表格参考教材)。在表中所列四个基本部分后面,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。 (1) 稳压二极管型号的后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的允许误差范围,其字母的意义如下: 符 号 A B C D E 允许误差 ±1 ±2 ±5 ±10 ±15 其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值,后缀第三部分是字母V,是小数点的代号;后缀第四部分是数字,表示标称稳定电压的小数数值。;(2)整流二极管的后缀是数字,表示最大反向峰值耐压值和最大反向开断电压。 国际电子联合会半导体器件型号命名方法示例: ;1、将万用表分别置R×10、 R×100、 R×1K档,观察晶体二极管2AP9、 2CP10、IN4001、IN4148的正反向电阻阻值变化情况。并将判别、测量情 况填入下表:;2、写出下列元器件标志含义: ;三、半导体三极管; 晶体三极管内部有两个PN结,外部有三个电极:基极B、发射极E、集电极C,按PN结的组合不同,三极管分为NPN、PNP两种。 三极管最大特点是具有放大作用。 ;格 物 致 新 · 厚 德 泽 人;2.半导体器件的管脚及封装;塑料封装;格 物 致 新 · 厚 德 泽 人;3.三极管极性的判别; (1)判断三极管基极b;(2)判断三极管发射极e和集电极c?;(4)三极管性能的鉴别 ;(5)半导体三极管的选用 ;本讲结束

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