第四章正弦波振荡器讲述.ppt

（１） 振荡回路与晶体管、负载之间的耦合很弱。晶体管ｃ、ｂ端, ｃ、ｅ端和ｅ、ｂ端的接入系数分别是: （２） 振荡频率几乎由石英晶振的参数决定, 而石英晶振本身的参数具有高度的稳定性。 （３） 由于振荡频率ｆ0一般调谐在标称频率ｆN上, 位于晶振的感性区内, 电抗曲线陡峭, 稳频性能极好。 （４） 由于晶振的Ｑ值和特性阻抗ρ都很高, 所以晶振的谐振电阻也很高, 一般可达１０10Ω以上。这样即使外电路接入系数很小, 此谐振电阻等效到晶体管输出端的阻抗仍很大, 使晶体管的电压增益能满足振幅起振条件的要求。 例 4.5 图例4．５（ａ）是一个数字频率计晶振电路, 试分析其工作情况。  在晶振工作频率５MHz处, 此ＬＣ回路等效为一个电容。可见, 这是一个皮尔斯振荡电路, 晶振等效为电感, 容量为３pF～１０pF的可变电容起微调作用, 使振荡器工作在晶振的标称频率５MHz上。  ２密勒（Ｍｉｌｌｅｒ）振荡电路 石英晶体作为电感元件连接在栅极和源极之间, ＬＣ并联回路在振荡频率点等效为电感, 作为另一电感元件连接在漏极和源极之间, 极间电容Ｃgd作为构成电感三点式电路中的电容元件。由于Ｃgd又称为密勒电容, 故此电路有密勒振荡电路之称。 ３． 泛音晶振电路 泛音晶振电路与基频晶振电路有些不同。在泛音晶振电路中, 为了保证振荡器能准确地振荡在所需要的奇次泛音上, 不但必须有效地抑制掉基频和低次泛音上的寄生振荡, 而且必须正确地调节电路的环路增益, 使其在工作泛音频率上略大于1, 满足起振条件, 而在更高的泛音频率上都小于1, 不满足起振条件。 在实际应用时, 可在三点式振荡电路中, 用一选频回路来代替某一支路上的电抗元件, 使这一支路在基频和低次泛音上呈现的电抗性质不满足三点式振荡器的组成法则, 不能起振； 而在所需要的泛音频率上呈现的电抗性质恰好满足组成法则, 达到起振。 假设泛音晶振为五次泛音, 标称频率为５MHz, 基频为１MHz, 则ＬＣ1回路必须调谐在三次和五次泛音频率之间。这样, 在５ MHz 频率上, ＬＣ1回路呈容性, 振荡电路满足组成法则。对于基频和三次泛音频率来说, ＬＣ1回路呈感性, 电路不符合组成法则, 不能起振。 ４串联型晶体振荡器 串联型晶体振荡器是将石英晶振用于正反馈支路中, 利用其串联谐振时等效为短路元件, 电路反馈作用最强, 满足振幅起振条件, 使振荡器在晶振串联谐振频率ｆs上起振。 第五节 压控振荡器VCO 一、变容二极管 变容二极管是利用ＰＮ结的结电容随反向电压变化这一特性制成的一种压控电抗元件。变容二极管的符号和结电容变化曲线如图4．5．1所示。 变容二极管必须工作在反向偏压状态, 所以工作时需加负的静态直流偏压－UQ。若交流控制电压uΩ为正弦信号, 变容管上的电压为: u=-(UQ+uΩ)=-(UQ+U Ω m cos Ωt) 二、变容二极管压控振荡器 例 4.6 画出图例4.6(a)所示中心频率为360MHz的变容二极管压控振荡器中晶体管的直流通路和高频振荡回路, 变容二极管的直流偏置电路和低频控制回路。 压控振荡器的主要性能指标是压控灵敏度和线性度。其中压控灵敏度定义为单位控制电压引起的振荡频率的增量, 用Ｓ表示, 即 三、晶体压控振荡器 在晶体压控振荡器中, 晶振或者等效为一个短路元件, 起选频作用； 或者等效为一个高Ｑ值的电感元件, 作为振荡回路元件之一。 通常仍采用变容二极管作压控元件。 晶体压控振荡器的缺点是频率控制范围很窄。 图4．5．3所示电路的频率控制范围仅在晶振的串联谐振频率ｆs与并联谐振频率ｆp之间。 为了增大频率控制范围, 可在晶振支路中增加一个电感Ｌ。 小结 1、反馈振荡的三个条件（P73—75） 2、反馈振荡电路的判断（P75—76） 3、LC振荡器： （1）三点式振荡器的电路组成法则（P79） （2）电容三点式和电感三点式 4、晶体振荡器（P88--91） 5、压控振荡器（P92—94） * * 第四章 正弦波振荡器 第一节 概述 振荡器是一种能自动地将直流电源能量转换为一定波形的交变振荡信号能量的转换电路。它与放大器的区别在于, 无需外加激励信号, 就能产生具有一定频率、一定波形和一定振幅的交流信号。 根据所产生的波形不同, 可将振荡器分成： 1、正弦波振荡器 2、非正弦波振荡器 正弦波振荡器主要由决定振荡频率的选频网络和维持振荡的正反馈放大器组成, 这就是反馈振荡器。 按照选频网络所采用元件的不同, 正弦波振荡器可分为： 1、ＬＣ振荡器 2、ＲＣ振荡器 3、晶体振荡器 主要性能指标：频率稳定度 第二节 反馈振荡原理 一、并联谐振回路中的自由振荡现象 ｔ＞