开关型的DC-DC和LDO的区别.pdfVIP

LDO LDO 是 low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于 传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如 78xx 系列的芯片 都要求输入电压要比输出电压高出 2v~3v 以上，否则就不能正常工 作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如 5v 转 3.3v, 输入与输出的压差只有 1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况， 才有了 LDO 类的电源转换芯片。 LDO 是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电 压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压 的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备） 作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的 压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体 管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为 它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP 设备类似。 新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。 使用功率 MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。 低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这 些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁 路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR 为 60dB，静态电流 6μA（TI 的 TPS78001 达到 Iq=0.5uA），电压降只 有 100mV(TI 量产了号称 0.1mV 的 LDO)。 如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的 DCDC 了，因为从上面的原理可以知道，LDO 的输入电流基本上是 等于输出电流的，如果压降太大，耗在 LDO 上能量太大，效率不高。 LDO 线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于 其中的调整管是用 P 沟道 MOSFET，而普通的线性稳压器是使用 PNP 晶体管。P 沟道 MOSFET 是电压驱动的，不需要电流，所以大大降 低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用 PNP 晶体管的电路中， 为了防止 PNP 晶体管进入饱和状态而降低输出能力，输入和输出之 间的电压降不可以太低；而 P 沟道 MOSFET 上的电压降大致等于输 出电流与导通电阻的乘积。由于 MOSFET 的导通电阻很小，因而它 上面的电压降非常低。 如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用 LDO 稳压器，可达 到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为 3V 输出电压的应 用中大多选用 LDO 稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有 使用，LDO 稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较 低。 LDO 是一种微功耗的低压差线性稳压器，它通常具有极低的自有 噪声和较高的电源抑制比 PSRR(Power Supply Rejection Ratio)?? LDO 是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点 在于，LDO 是一个自耗很低的微型片上系统（SoC）。它可用于电流 主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的 MOSFET，肖 特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过 温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。PG 是新一代 LDO， 具各输出状态自检、延迟安全供电功能，也可称之为 Power Good， 即“电源好或电源稳定”。 1. 工作原理 LDO 低压差线性稳压器的结构主要包括启动电路、恒流源偏置单 元、使能电路、调整元件、基准源、误差放大器、反馈电阻网络和保 护电路等。基本工作原理是这样的：系统加电，如果使能脚处于高电 平时，电路开始启动，恒流源电路给整个电路提供偏置，基准源电压 快速建立，输出随着输入不断上升，当输出即将达到规定值时，由反 馈网络得到的输出反馈电压也接近于基准电压值，此时误差放大器将 输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放 大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理 如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环回路将使输出电压保持 不变，即：Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref 实际的低压差线性稳压器还具有如负载短路保护、过压关断、过 热关断、反接保护等其它的功能。 如右图所示，该电路由串联调整管 VT、取样电阻 R1 和 R2、比 较放大器 A 组成。 取样电压加在放大器 A 的同相输入端，与加在反相输入端的