正向电流Forwardcurrent.doc

1310nm 多量子阱DFB 激光器管芯 1310nm MQW- DFB LASER CHIPS 特点FEATURES ★全MOCVD技术(Entirely fabricated by MOCVD) ★低阈值电流(Low threshold current) ★中等输出功率(Middle output power) ★ 灵活的底座形式(customer-designed submounts or heatsinks 应用(APPLICATIONS) ★ 光纤通信(Optical communication systems) ★ 同轴激光源Lamp source of coaxial LD ★光纤传感器 Fiber optical sensors ★有线电视 Cable Television ★仪表装置 Instrumentation 光电特性(SPECIFICATIONS) 参数 Parameter 符号Symbol 条件 Condition 最小值Min. 典型值Typ. 最大值Max. 单位Unit 波长 Central wavelength λp Tc=25 o C Po=5mW 1290 1310 1330 nm 阈值电流 Threshold current Ith Tc=25 o C -- 10 20 mA 输出功率 Output power Po Tc=25 o C 5 10 -- mW 工作电压 Operating voltage Vo Tc=25 o C Po=5mW 1.2 1.6 V 斜率效率 Slope efficiency η Tc=25 o C 0.1 0.2 -- mw/mA 谱线宽度 Spectral line width Δλ Tc=25 o C Po=5mW -- -- 0.3 nm 边模抑制比 Side mode suppression ratio SMSR Tc=25 o C Po=5mW -- 30 40 dB 平行发散角 Beam divergence angle(parallel) θ∥ Tc=25 o C Po=5mW 30 deg 垂直发散角 Beam divergence angle(perpendicular) θ⊥ Tc=25 o C Po=5mW 40 deg 额定极限值(ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) 参数 Parameter 条件 Condition 最小值 Min. 最大值 Max. 单位 Unit 正向电流 Forward current Tc =25 o C -- 120 mA 反向电压 Reward voltage Tc =25 o C -- 2 V 工作温度 Case temperature -- 0 +70 ℃ 储存温度 Storage Temperature -- -40 +85 ℃ laser chip on Cu heatsink layout