电介质技术分析.pptVIP

报告人：涂雅婷 导 师: 邱晓燕 副教授 ;内 容;第一章 简 介;一、电介质材料的分类及应用;;压电材料;介电材料的应用;（2）高介电常数电容器（新型电容器陶瓷材料）;（3）微波介电陶瓷;频率温度系数TCF:;微波陶瓷材料的研究进展：;二、电介质的一般特性;1、静电场中电介质的极化 ;极板面积： 极板间距： 接上电源，板间电压为 ，极板上的电荷为 插入电介质材料后，极板上的电荷量增至;束缚电荷的面密度即为极化强度P;（1）电子极化 由于一切电介质材料均由分子、原子或离子组成的。而它们又都是由原子核及核外电子云组成。当外加电场时，电子云相对于原子核发生位移，因为产生感应电矩。最简单的模型是图（a)所示的氢原子的电子极化。无外电场时，正、负电荷重心重合；当施加电场后，电子云与核产生相对位移。电子极化的频率响应极快，外加电场后经 即能产生极化。;（2）离子极化 由异号离子组成的晶体，如Nacl，在外电场作用下，正、负离子均发生位移，见图（b），以一维排列的正、负离子原来间隔均等，加了外电场后，正、负离子的相对距离发生变化，产生了偶极矩。离子极化的频率响应速度比电子极化略慢，约为 。;（3）偶极极化 有些电介质分子是由极性较强的离子键构成的，称极性电介质。每个分子本身就具有一定的电偶极矩，如图（c）所示，原来这些电偶极矩的排列杂乱无章，宏观看来不是极性。当存在外电场时，电介质内固有的电偶极矩转向外电场方向，偶极极化也叫做转向极化。它的响应速度较慢，一般在 左右。;（4）空间电荷极化 在实际的电介质材料中，由于制造工艺和材料的纯度影响，不可避免地有局部的介质不均匀，如存在夹层或大量的晶体缺陷。在外电场的作用下，介质中的少量载流子会发生漂移，它们可能被势阱捕获，也可能在介质不均 匀的夹层处界面上堆积起来而形成空间电荷的积累。这种介质中由于空间电荷的移动形成的电荷分布即是空间电荷极化。它的频率响应最慢 。; 如图（a）所示，在真空电容器 二端加上交流电压 产生的电流为 ，其相位图见（b）。若在电容器中充以电介质（图（c））。可作起等效电路（图（d）），其中 为纯电容， 为等效电导，相位图见（e）。这时总电流为： ;;; 把 随外电场频率 变化的过程称为介电色散。在一定的频率范围内，测量介电常数随频率变化的特性曲线称为介电谱。在交变电场作用下，电介质中的原子、分子、偶极矩都会吸收电场的能量，使它们自己处于较高的能量状态或转化成热能，这些统称为介电吸收（介电损耗）。 ;第二章 薄膜的制备工艺;1、物理气相沉积法(PVD);(2)、热蒸发法;2、化学气相沉积法(PVD);第三章 常规的薄膜性能表征方法;;;1、探针法; 如果薄膜的面积A、密度ρ和质量m可以被精确测定的话，由公式;3、光的干涉法;4、断面直接观察法;扫描电子显微镜(SEM)的截面观测;5、椭偏仪法;原理：基于石英晶体片的固有振动频率随其质量的变化而变化的物理现象。; 在薄膜沉积的过程中，沉积物质不断地沉积到基片的一个端面上，监测振荡频率随着沉积过程的变化，就可以知道相应物质的沉积质量或薄膜的沉积厚度。;3.2 薄膜组分的表征方法;（a）-基态电子的内层电子排布 （b）-K层电子空能级的形成 （c）-特征X射线的产生 （d）-俄歇电子的产生 ; 空的K能级为一个外层电子比如M或L层的电子 所占据,并在电子跃迁的同时放出一个X射线 光子，此光子的能量可以由过程中能量的平 衡条件确定为：; 空的K能级也可能发生第二种情况：放出另一个外层 电子，如图（d）所示。这一能量转换过程被称之为 俄歇过程，相应放出的电子被称之为俄歇电子，它 的特征能量为： ;2、俄歇电子能谱AES; 它的优点是在靠近表面0.4—2nm范围内的化学分析灵敏度高，数据收集速度快，能探测周期表上He以后的所有元素。对于能量为50一2kev范围内的俄歇电子．深度分辨率约为1nm，横向分辨率则取决于入射束斑大小。;3、 X射线光电子能谱XPS (X-ray photoelectron spectroscopy); 在X射线光电子能谱仪的情况下，被激发出来的电 子应该具备能量： ; 常用的X射线一般采用Mg或Al的特征K?射线： Mg 的K?射线的能量为1253.6eV，线宽为0.7eV Al 的K?射线的能量为1486.6eV