西安交通大学微电子制造技术十三光刻.PPTVIP

微电子制造技术第 13 章 光刻:气相成底膜到软烘;学 习 目 标;光刻的基本概念; 光刻是一种多步骤的图形转移过程，首先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶园表面的每一层。 图形转移通过两步完成。首先，图形被转移到光刻胶层，光刻胶经过曝光后自身性质和结构发生变化（由原来的可溶性物质变为非可溶性物质，或者相反）。再通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，不能溶解的光刻胶就构成了一个图形（硅片上的器件、隔离槽、接触孔、金属互联线等），而这些图形正好和掩膜版上的图形相对应。形成的光刻胶图形是三维的，具有长、宽、高物理特征（见下图）。;线宽;掩 膜 版;4:1 Reticle;光 谱;可见;表13.1 光刻曝光的重要UV波长;套 准 精 度;;CMOS 掩模版分解图;氧化;工艺宽容度;光 刻 工 艺;Ultraviolet light; 正性光刻 正性光刻的基本特征是，经过曝光的光刻胶由原来不可溶解变为可溶解，即经过曝光的光刻胶在显影液中软化并可溶解。光刻胶上留下的图形与掩膜版上的图形相同（见图13.6 ）。所以这种光刻胶被称为正性光刻胶。 ;Figure 13.6正性光刻 ;期望印在硅片上的 光刻胶结构 ;接触孔的模拟 (正胶光刻);8) 显影检查;气相成底膜;脱胶;脱水烘焙 脱水