西安交通大学微电子制造技术十七掺杂.PPTVIP

微电子制造技术第 17 章 掺 杂;概 述;本章重点;表17.1 半导体制造常用杂质; 掺杂在芯片制造中的应用;表17.2 CMOS 制作中的一般掺杂工艺;掺 杂 区;氧化硅;扩 散;扩散的概念;在间隙位置被 转移的硅原子;固态扩散的目的;Table 17.3 1100°C 下硅中的固溶度极限;扩 散 工 艺;表17.4 扩散常用杂质源;;扩散层中杂质原子的浓度分布;预淀积（恒定表面源扩散）;影响扩散层参数（结深、浓度等）的几个因素： 杂质的扩散系数 杂质在晶园中的最大固溶度;再分布（有限源扩散）;通常情况下，再分布和氧化同时进行。在此过程中杂质的推进使结深、表面浓度、扩散层薄层电阻达到设计要求的同时，在扩散层表面同时形成一定厚度的氧化层。;薄层（方块）电阻;四探针测量薄层电阻;;练习题： 制造一个NPN晶体管，首先在1100℃下进行硼(B)预淀积扩散，扩散时间20分钟???然后在1100℃下做推进(再分布)扩散。假若推进扩散的时间是30分钟，试求推进后的结深应为多少？推进后表面浓度是多少？假设衬底浓度为1015cm-3，(已知1100℃时硼在硅中的最大固溶度是5×1020/cm3，扩散系数D=5×10-12cm2/S);离 子 注 入;控制杂质浓度和深度;4. 产生单一粒子束； 5. 低温工艺； 6. 注入的离子能穿过掩蔽膜；