西安交通大学微电子制造技术十六刻蚀.PPTVIP

微电子制造技术第 16 章 刻 蚀;概 述;学 习 目 标; 刻蚀原理 ;刻蚀工艺;刻蚀参数;刻蚀速率;?T;刻蚀剖面; 对于亚微米尺寸的图形来说，希望刻蚀剖面是各向异性的，即刻蚀只在垂直于硅片表面的方向进行（见图16.5），只有很少的横向刻蚀。各向异性刻蚀对于亚微米器件的制作来说非常关键。各向异性刻蚀大部分是通过干法等离子体刻蚀来实现的。;Table 16.1 湿法刻蚀和干法刻蚀的恻壁剖面 ;刻蚀偏差;(b);钻蚀; 刻蚀选择性 选择比是指在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料刻蚀速率的比值（见图16.8）。高选择比意味着只刻蚀想要刻蚀的材料，而对其它材料的刻蚀微乎其微。对被刻蚀材料和掩膜材料的选择比SR可以通过下式计算： SR =Ef/Er Ef =被刻蚀材料的刻蚀速率 Er =掩膜材料的刻蚀速率高的选择比可以是100:1;刻蚀均匀性;在每片上测 5 to 9 个点处的刻蚀速率，然后计算每片的刻蚀均匀性并比较片与片之间的均匀性; 残留物 刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面的刻蚀副产物。通常覆盖在腔体内壁或被刻蚀图形的底部。产生的原因有：被刻蚀的材料、腔体中的污染物、膜层中不均匀的杂质分布等。