1-半导体基础知识精编.ppt

第一章 常用半导体器件;§1.1 半导体基础知识主要介绍：制作半导体器件的材料、产生机理等;一、本征半导体;2、本征半导体的结构;本征半导体结构;3、本征半导体中的两种载流子;二、杂质半导体定义：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量杂质元素 （五价磷（N型）、三价硼（P型）） 1. N型半导体;2. P型半导体;总结： N型半导体 P型半导体 多子 自由电子 空穴 少子 空穴 自由电子 杂质原子 施主原子（磷） 受主原子（硼） 整体特点： 1、多子浓度越高，少子浓度越低 2、多子浓度约等于所掺杂质原子浓度 3、少子浓度受温度影响较大;第一周 第2次课;知识回顾： 1、本征半导体：具有纯净的晶体结构的半导体。 导电性能： 显著特点：结构规则，导电性能可控。 2、杂志半导体： 分 类： 各类型杂质半导体特点： 3、PN结的形成： 定 义： 产生机理：;三、PN结的形成及其单向导电性;PN 结的形成;PN结达到动态平衡后，若温度升高， 少子、多子浓度变化一样吗？ ;;PN结的单向导电性;四、PN结的电流方程 IS 反向饱和电流 K 为波尔兹曼常数， q 为电子电荷量， 库仑 T为热力学温度 室温时，;5.PN结的伏安特性曲线;六、PN 结的电容效应;六、PN 结的电容效应;问题;§1.2 半导体二极管; 一、二极管的组成; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程;从二极管伏安特性得出：  1. 单向导电性;三、二极管的等效电路;2. 微变等效电路;四、二极管的主要参数;二极管的近似分析计算;例2：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo;例3：图示电路，二极管导通电压为0.7V，试分别估算开关断开和闭合时输出电压的数值。;作业题;写出下图所示各电路的输出电压值， 设二极管导通电压UD=0.7V。;五、稳压二极管;稳压二极管： 正向特性：类比普通二极管 反向特性：一定电流范围内端电压基本不变（稳压特性）;例4：图示电路，已知发光二极管的导通电压为1.6V，正向电流为5 ～ 20mA时才能发光。试问： P27例1.2.3 （1）开关处于何位置时发光二极管可能发光? （2）为使发光二极管发光，电路中R的取值范围是多少?;§1.3 晶体三极管; 一、晶体管的结构和符号;二、晶体管的放大原理;三极管载流子运动;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;三、晶体管的共射输入特性和输出特性;2. 输出特性;晶体管的三个工作区域;四、温度对晶体管特性的影响;五、主要参数;讨论一;讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性;利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。