第7章金属化与平坦化题材.ppt

一、欧姆接触 二、金属布线 三、金属膜的制备 四、平坦化 五、铜金属化; 集成电路的各个组件制作完成后，需要按照设计要求将 这些组件进行相应的连接以形成一个完整的电路系统，并提 供与外电路相连接的接点，完成此项任务的就是金属布线。 金属化就是在组件制作完成的器件表面淀积金属薄膜， 金属线在IC中传导信号，介质层则保证信号不受临近金属线 的影响。平坦化就是将wafer表面起伏不平的介电层加以平 坦的工艺。经过平坦化处理的介电层，没有高低落差，在制 作金属线时很容易进行，而且光刻出的连线图形比较精确。;欧姆接触 加工成型的金属互连线与半导体之间由于功函数的差异 会形成一个势垒区。若只是简单的将金属和半导体连接在一 起，接触区就会出现整流效应，这种附加的单向导电性，使 得晶体管或集成电路不能正常工作。要使接触区不存在整流 效应，就是要形成欧姆接触，良好的欧姆接触应满足以下的 条件：电压与电流之间具有线性的对称关系；接触电阻尽可 能低，不产生明显的附加阻抗；有一定的机械强度，能承受 冲击、震动等外力的作用。;1.欧姆接触的形成条件 金属铝与轻掺杂浓度（ ）的N型硅接触时， 形成整流接触；当提高N型硅的掺杂浓度（ ）后， 接触区的整流特性严重退化，电压-电流的正反向特性趋于 一致，即由整流接触转化为欧姆接触。 势垒越窄，遂穿效应越明显，而势垒的宽度取决于半导 体的掺杂浓度，掺杂浓度越高，势垒越窄。因此，只要控制 好半导体的掺杂浓度，就可以得到良好的欧姆接触。;;2.欧姆接触的制备 需要制备欧姆接触的地方并非都是重掺杂区，因次，必 须对要制作接触区的半导体进行重掺杂，以实现欧姆接触。 常用的方法有扩散法和合金法。合金法又叫烧结法，这 种方法不仅可以形成欧姆接触，而且也可制备PN结。合金 时，将金属放在wafer上，装进模具，压紧后，在真空中加 热到熔点以上，合金溶解与wafer凝固而结合在一起，形成 欧姆接触，合金完成。整个过程分为升温、恒温、降温三个 阶段。; 温度是合???质量好坏的关键。合金的方法很多，可在扩 散炉或烧结炉中通惰性气体或抽真空；也可在真空中进行。;金属布线 金属层包括互连、接触以及栓塞等。互连是由铝、多晶 硅或铜等材料制成使不同器件之间的电信号可相互传输的金 属连线；接触是芯片内的器件与第一层金属在wafer表面的 连接；通孔是穿过介质层在某两层金属层之间形成导电通路 的开口；栓塞是通孔中填入的使金属层间电气导通的部分。 随着IC尺寸的减小，对金属布线的要求也越来越高：电 阻率要低、稳定性要高；可被精细的刻蚀，具有抗环境侵蚀 的能力；易于淀积成膜，粘附性要好，台阶覆盖能力强；互连线应具有很强的抗电迁移能力，可焊性好。;1.多层金属布线 （1）多层金属布线结构 为了提高电路速度、集成度、缩短互连线，大规模集成 电路的金属层都是多层金属布线层。为了防止金属层之间的 短路，在层间 淀积了介电层 起到隔离作用。;（2）多层电极 在一般的IC制造中通常采用铝作为电极，但对于高频 大功率器件、微波器件等会由于采用铝电极而导致器件失 效。要找到一种能完全代替铝的金属材料非常困难，金的导 电性很好但与二氧化硅之间的粘附性却很差，而且在高温下 会与硅形成金-硅合金；钼、铂等金属虽然熔点很高，但又 难以键合。因而只有采用多层金属电极。利用几种金属各自 的优点，取长补短，制作出符合要求的电极。 ; 多层金属电极大致可分为两类：用于微波晶体管、超高 频低噪声管等器件的铝基系统和用于高频大功率管的金基系 统。按器件经受的环境和使用的条件不同，采用不同的多层 金属结构。但按照作用，大体可分为四层（由硅片表面向外 依次为）：欧姆接触层、粘附层、阻挡层以及导电层。 欧姆接触层的作用是与半导体层形成良好的欧姆接触，性能稳定，不与硅或电路中相邻的其它材料形成高阻化合物，厚度约几十纳米，目前最常用的是硅化钛。; 粘附层起到将接触层与二氧化硅和上面的金属层粘和起 来的作用，以便在二氧化硅上形成可靠的引线键合点。生产 上经常将粘附层与接触层或阻挡层结合在一起。 阻挡层一方面是为了防止导电层材料渗透至器件表面与 硅形成合金，另一方面又要阻挡导电层与下层金属形成高阻 化合物。因而，作为阻挡层的金属与硅的合金温度要足够 高，而且不会与相邻的金属形成高阻化合物。常用的是高熔 点金属钨、钼、镍等。; 导电层的电阻率要低，稳定性好，还要利于压焊引线， 常用的是铝、