2010半导体物理试卷答案-朱俊.docVIP

学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第  PAGE 6 页 共  NUMPAGES 6页 电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 12月 日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名 得 分 选择题（共20分，共 10题，每题2 分） 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 含铝1×10-15cm-3 乙.含硼和磷各1×10-17cm-3 丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. Wms = 0 B. Wms 0 C. Wms 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) 禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件??是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 得 分 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分） 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分） 答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数和材料非平衡载流子的寿命决定，即L = Dτ。(2分) 牵引长度：指的是非平衡载流子在电场ε作用下，在寿命 τ 时间内所漂移的距离，即L(ε) = εμτ (2分) 德拜长度：它是徳拜在研究电解质表面极化层时提出的理论上的长度，用来描写正离子的电场所能影响到电子的最远距离。对于半导体，表面空间电荷层厚度随衬底掺杂浓度介电常数、表面电势等多种因素而改变，但其厚度的数量级用一个特称长度——德拜长度LD表示。(3分) 3. 费米能级、化学势与电子亲和能（8 分） 答：费米能级与化学势：费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势。处于热平衡的系统有统一的化学势。这时的化学势等于系统的费米能级。费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有