段辉高2半导体中的材料、硅片制作流程汇编.pptxVIP

第二章半导体材料特性 1 提纲 2 2.1 原子结构 2.2 化学键 2.3 材料分类 2.4 硅 2.5 可选择的半导体材料 2.6 新型半导体电子与光电材料 2.1 原子结构 原子由三种不同的粒子构成：中性中子和带正电的质子组成原子核，以及围绕原子核旋转的带负电核的电子，质子数与电子数相等呈现中性。 图2.1 碳原子的基本模型 3 电子能级：原子级的能量单位是电子伏特，它代表一个电子从低电势处移动到高出1V的的电势处所获得的动能。 价电子层：原子最外部的电子层就是价电子层，对原子的化学和物理性质具有显著的影响，只有一个价电子的原子很容易失去这个电子，有7个价电子的原子容易得到一个电子，具有亲和力。 图2.2 钠和氯原子的电子壳层 4 2.2 化学键 2.2.1 离子键 当价电子层电子从一种原子转移到另一种原子上时，就会形成离子键，不稳定的原子容易形成离子键。 图2.3 NaCl的离子键 5 2.2.2 共价键 不同元素的原子共有价电子形成的粒子键，原子通过共有电子来使价层完全填充变得稳定。束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。 图2.4 HCl的共价键 6 2.3 材料分类-能带理论 7 导体 导体在原子的最外层通常有一些束缚松散的价电子，容易失去，金属典型地具有这种价电子层结构。 在一般的半导体制造中，铝是最普遍的导体材料，可以用来充当器件之间的互连线，而钨可作为 金属层之间的互连材料。 铜是优质金属导体的一个例子，逐渐被引入到硅片制造中取代铝充当微芯片上不同器件之间的互连材料。 8 绝缘体 绝缘体的价电子层不具有束缚松散的电子可用于导电，它有很高的禁带宽度来分隔开价带电子和导带电子。 半导体制造中的绝缘体包括二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）和聚酰亚胺（一种塑料材料）。 半导体 半导体材料具有较小的禁带宽度,其值介于绝缘体（2eV）和导体之间。这个禁带宽度允许电子在获得能量时从价带跃迁到导带。 圆片制造中最重要的半导体材料是硅。 9 周期表中半导体相关元素 周期 Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ 2 硼B 碳C 氮N 3 铝Al 硅Si 磷P 硫S 4 锌Zn 镓Ga 锗Ge 砷As 硒Se 5 镉Cd 铟In 锑Te 2.4 硅 硅是一种元素半导体材料，因为它有4个价电子，与其他元素一起位于周期表中的ⅣA族。硅中价层电子的数目使它正好位于优质导体（1个价电子）和绝缘体（8个价电子）的中间。 11 硅的晶体结构 109o28′ 地壳中各元素的含量 2.4.1 硅作为电子材料的优点 原料充分； 硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、性质很重要； 重量轻，密度只有2.33g/cm3； 热学特性好，线热膨胀系数小，2.5×10-6/℃ ，热导率高，1.50W/cm·℃； 单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好； 化学性质稳定，常温下只有强碱、氟气反应； 机械性能良好。 14 2.4.2 纯硅 纯硅是指没有杂质或者其他物质污染的本征硅。纯硅的原子通过共价键共享电子结合在一起。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 15 2.4.3 掺杂硅 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。载流子：电子，空穴。 N型硅——在本征硅中掺入五价杂质元素（例如磷、 氮），主要载流子为电子。 P型硅——在本征硅中掺入三价杂质元素（例如硼、 镓、铟），主要载流子为空穴。 16 N型硅 17 P型硅 18 2.5 可选择的半导体材料 2.5.1 元素半导体——Ge、Si 最初大量使用的半导体材料是锗。1947年第一只晶体管用的就是锗。但是锗的禁带宽度为0 67 V 热稳定性差最高工作温度只有85℃。 硅具有很多优点，地球上储量丰富，易于提纯，热稳定性好，在表面可生长质量很高的二氧化硅层，工作温度可达160℃。硅几乎成了半导体的代名词，全球硅集成电路年产值在2400亿美元左右。 19 2.5.2 化合物半导体——GaAs、InP 砷化镓等材料的电子迁移率差不多是硅材料的6倍。它们的峰值电子速度也是硅饱和速度的2倍多。禁带宽度和临界击穿场强也比硅高，因此是制造高频电子器件的理想材料。目前砷化镓是化合物半导体的主流材料，全球砷化镓高频电子器件和电路的年产值24亿美元。 磷化铟器件的