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2011工艺基础试题选编
扩散工艺基础试题 姓名
1 同样的基区离子注入量,扩散结深做得较深时,R□值将变 。
2 同样的扩散结深,离子注入量减小时,R□值将变 。
3 某NPN产品,基区扩散时H2未通进,其余条件正常,所造成的后果是 和 。
4 基区离子注入量发生了较大变化,其余工序正常加工,流程到哪几步可以根据哪三个参数的什么现象判别出注入量发生了如何的变化?
5 其余条件不变,发射区再扩散条件如何变化造成hFE增大?
6 发射区再扩散条件不变,其余哪些条件变化对hFE构成影响?什么样的影响?
7 控温电偶处于温度更高的位置时(如紧靠加热炉丝),整体炉温将 。
8 控温电偶断开,将出现的现象是 ,后果是 。
9 控温电偶在某处短路,将出现的现象是 ,后果是 。
10 有哪些现象(含仪表显示和其他外观)可以确认加热炉丝断开了?
11 某管扩散炉一端保温石棉未包裹严密,后果是 。
12 磷预扩散炉管出气口常出现少量液体,这是为什么?当发生石英帽被粘住取不下来时该怎么办?
。
13 PBF(乳胶硼源)的主要成分是什么? 。
14画出一幅POCl3源瓶的气路图。
15 您所知道的几种P型扩散杂质元素: 。
N型扩散杂质元素: 。
16 您所知道的哪些扩散杂质元素的扩散系数大?
。
17 您所知道的扩散结深跟杂质元素的什么性质、
工艺条件的哪些参数有怎样的关系?
(定性也行,能定量更好!)
。
18 扩散工序哪些情况会引入沾污?
沾污会造成哪些后果?
。
19在工作实践中你对所遇到的某问题作出了正确判断并解决,举一事例。
这两题为公共题
20 在工作实践中遇到的某问题至今尚未认识清楚,举一事例。
光刻、腐蚀工艺基础试题 姓名
说出某产品从头到尾流程顺序:(着重与光刻相邻的工程)
根据光刻胶照光后的不同性质分为 性胶和 性胶。胶的标号越大,表示 ,在同样的匀胶条件下胶膜越 。同一标号的胶,匀胶转速越快,膜越 。胶膜较厚的胶,曝光条件应较 。一定厚度的 性胶,曝光过度将造成 ;曝光不足则造成 。
前烘条件过弱,会造成
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