3-正弦波振荡器学案.ppt

　受控电流源支路的等效导纳 参见图 3-6-6(b)。 　用负阻的观点和用反馈的观点研究振荡器的特性是等效的。 3.7　寄生振荡、间歇振荡和频率占据 3.7.1　寄生振荡 3.7.2　间歇振荡 3.7.3　频率占据 　寄生振荡、间歇振荡和频率占据是不希望出现的电路现象。一旦产生将破坏电路的正常工作。下边讨论它产生的原因和预防措施。 3.7.1　寄生振荡 　一、产生原因 　电路中一些集中参数及分布参数形成寄生振荡回路，产生自激振荡。 二、抑制措施 破坏寄生振荡回路的振荡条件。 　① 低频寄生振荡回路一般由高频扼流圈、隔直电容或旁路电容构成。要消除这种低频振荡的常用措施是： 合理选择扼流圈的电感量或旁路电容的电容量，高频扼流圈串接小电阻或并接大电阻。 　② 超高频寄生振荡是由电路中的分布参数(引线电感，极间电容)构成。要消除这类振荡的常用措施是： 粗短的引线，贴片元件，基极，集电极串小无感电阻，隔直、旁路电容上并小电容。 ③ 电源加去耦电路。 3.7.2　间歇振荡 　振荡 → 停振 → 振荡 ??? ，这样现象称为间歇振荡。 　一、产生原因 　当输入端作用着振荡电压vi 时,晶体管经历了导通和截止两个过程，导通时，发射极电流向CE 充电；截止时，CE 向RE 放电，充电电阻远小于RE。 如果 CB,CE 取值过大，电容充电快，放电慢。振荡器起振后，振幅增大，偏置电压向负值方向增大，使振幅减小，直到停振。停振后，偏置电压向正值方向增大，达到一定数值后，振荡器右开始起振。振荡波形如图。 二、预防措施 　　CB,CE 取值不宜过大，可增大 Q 值。 因偏置电压变化慢于振荡振幅变化， 平衡后偏置电压会继续负向增大 CE通过RE放电，发射级电压降低 3.7.3　频率占据 　频率占据是当外部有一频率为 fs 的信号加入到振荡回路时，满足一定条件，会使振荡频率 fosc 向 fs 靠近或等于 fs，称为频率占据。 fosc = fo 当 fs 接近 fosc 时，振荡器的振荡频率受到 fs 的牵引。 　　① fs - f0 ?f1 和 fs - f0 ?f4，vs 对 fosc无影响。 　　② ?f1 fs - f0 ?f2 和 ?f3 fs - f0 ?f4 ，,fosc向 fs 靠近。 　　③ ?f2 fs - f0 ?f3，fosc = fs 。 由电路图 3-7-4(b)可知： 　加入 vs 后， 设 fs f0 。 　将以(?s - ?0)的相对角速度逆时针旋转 → vi 跟着旋转 → gmvi → vo → vf. 　只要的转速不太大(?s 靠近 ?0)，经过一段时间，一样的角速度(?s - ?0)逆时针转动。各矢量相对位置固定下来，振荡器重新进入平衡状态，振荡频率为 fs。 根据矢量图 　　假设　Vs Vf， 　当 Qe、Vs、Vf 一定时，sin|?| 的最大值对应| fs - f0 |的最大值。 　　所以占据频带为 　　预防措施： 　　根据具体情况，切断或削弱振荡器与外来信号的耦合。 　但在某些情况下，外加信号是特意加入的，实现注入同步。 (2)Qe 变化 　若负载和管子参数变化，使谐振回路 Qe增加 ?Qe，则 ?z(?)曲线变陡。?Qe 引起振荡频率的变化量与?f 大小有关　　　　　　。如右图。 (3)若 ?f 产生 ??f，则 ?z(?)曲线形状不变，而交点移动。 　??f 引起振荡频率的变化与 ?f(同条曲线)、Qe 的大小有关。 3．讨论 提高 LC 振荡器频稳度的基本措施： 　　① 减小 ??0、?Qe 和 ??f，故应减小外界因素变化引起 ?0、Qe 和 ?f 的变化。 　　② 减小 ?f 和增大 Qe ，以减小由 ?Qe、??f 引起的振荡频率变化量。 二、提高频稳度的基本措施 1．减小外界因素的变化 　外界因素：温度、湿度、大气压、电源电压、周围磁场、机械振动及负载变化等，其中温度的影响最严重。 　措施：减振、恒温、密封(湿度、大气压)、高稳定度电源、屏蔽罩、振荡器与负载间插入跟随器。 减小变化量 让工作点靠近相移零点 让负斜率相频特性曲线更陡峭 2．提高振荡回路标准性 (1)标准性（振荡回路在外界因素变化时保持固有谐振频率不变的能力） 标准性越高，??0 就越小。 (2)??0 与 ?L、?C 的关系 将此式展开，忽略高阶小量，化简为 (3)分析 为提高回路标准性，必须减小 L、C 的相对变化量。 措施： 　① 温度补偿。电感和部分寄生参量有正值的温度系数，选用有负温度系数的陶瓷电容器，且数值合适，正负可补偿。 ② 缩短引线，采用贴片元器件，减小分布参数。 　③ 使用稳定度高的外接集总