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ICP刻蚀原理:气体、功率的选择--ICP操作流程
gas box
VGE/B MFC VGQ
VGQ
最高功率为1000W
RF
ICP
reactor
必须4 英寸
Load lock
样品仓 TR
VKW
MSK VBW
MPE
0
DR
MBA MDW
A
VBSK VSK
PTM
VBR
MFW
抽气阀门
放气阀门
-6 -7
10 ~10
VVV VSH He
。
PS PW
所能达到的极限是1pa。
一、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀原理 3
二、刻蚀的基本要求 9
(负载效应、图形的保真度、均匀性、表面形貌、刻蚀的清洁)
三、等离子体刻蚀的基本过程 11
(物理溅射刻蚀、纯化学刻蚀、离子增强刻蚀、侧壁抑制刻蚀)
四、影响刻蚀效果的因素
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