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- 2017-04-13 发布于江苏
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IRFS4127TRLPBF;IRFSL4127PBF;中文规格书,Datasheet资料
09/16/08
1
HEXFETPower MOSFET
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
S
D
G
IRFS4127PbF
IRFSL4127PbF
G D S
Gate Drain Source
S
D
G
D
D
S
G
D2Pak
IRFS4127PbF
TO-262
IRFSL4127PbF
VDSS 200V
RDS(on) typ. 18.6m
max. 22m
ID 72A
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter U
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