利用抛光砖废渣制备泡沫陶瓷的工艺探索.docVIP

利用抛光砖废渣制备泡沫陶瓷的工艺探索 　　摘 要：本文通过XRD、SEM、热分析、光学热膨胀仪等测试手段，分析了抛光砖废渣的各项理化性能，并通过正交实验法得到了抛光砖废渣制备泡沫陶瓷的较优工艺配方。实验结果表明：抛光砖废渣中的主要发泡物质为抛光磨头中引入的碳化硅颗粒；采用2 wt%的磨头废屑添加量、3℃/min的升温速率、1170℃的烧成温度、保温时间为20 min的工艺可制得体积密度为0.35 g/cm3的泡沫陶瓷。 　　关键词：抛光砖废渣；泡沫陶瓷；发泡；体积密度 　　1 引言 　　抛光砖在建筑陶瓷产品中占比约50 %，抛光砖在磨削抛光过程中，磨削量可达0.3～0.5 mm，从而产生大量的抛光砖废渣。其成分主要是产品表面被磨削的氧化铝、氧化硅等陶瓷料和抛光磨料中的碳化硅、氯化镁水泥及有机树脂等[1-2]，由于其含有可发泡物质，因此难以大规模回收利用于陶瓷砖的生产中。据测试统计，生产1 m2抛光砖可产生约1.5 kg的抛光废料，磨头损失约0.5 kg，因此，每平方米抛光砖将产生2.0 kg左右的废料，每年国内抛光砖生产所产生的废渣可达上千万吨，这些废料大量堆积会造成严重的环境污染问题。 　　目前国内外对陶瓷抛光废料的综合利用主要为：替代部分原材料以用于生产内外墙釉面砖、陶瓷仿古砖[3]、多孔陶瓷[4-6]和免烧陶粒[7-9]等。 　　本文分析了抛光砖废渣的各项理化性能，并通过正交实验得到了抛光砖废渣制备泡沫陶瓷的较优工艺配方，以期为有效利用抛光砖废渣提供基础数据和应用参考。 　　2 实验内容 　　2.1 实验原料 　　本实验采用的抛光砖废渣由广东天弼陶瓷有限公司提供，原料粒度小于200目。 　　2.2 实验表征方法 　　本实验采用荷兰Panlytical公司Xpert PRO 型X 射线衍射仪检测抛光砖废渣物相组成；采用NETZSCH STA 449C 型综合热分析仪测定抛光砖废渣TG曲线；采用德国ZEISS公司EVO18 型扫描电子显微镜对抛光砖废渣形貌进行观察；采用TOMMI型光学热膨胀仪对样品进行可视化观察；根据国家标准GB/T 3810.3-2006，用煮沸法与体积法共同校准测试泡沫陶瓷的体积密度；采用美国Instron 公司5567 型万能材料试验机测定抗压强度；采用高倍率光学体视显微镜对待测样品进行气孔形貌及均匀性的显微观察。 　　2.3 抛光砖废渣的主要理化性能 　　2.3.1 成分分析 　　本实验用抛光砖废渣的化学组成如表1所示。从表1可知，抛光砖废渣中所含的MgO含量比坯料偏高，这主要是因为抛光砖废渣中含有一定量的由于抛光磨头磨损而引入的氯氧镁水泥，在其加热过程中发生分解反应，释放出水分和HCl气体，最终产物为MgO。 　　图1所示为抛光砖废渣的XRD图谱。由图1分析可知，该物质晶相主要由石英相组成，并含有部分的莫来石相，还含有少量的氢氧化镁和氯化镁水合物，即氯氧镁水泥。石英相与莫来石相是抛光瓷质砖时产生的陶瓷砖粉料，而氯氧镁水泥是在抛光瓷质砖时被抛掉的磨头屑引入的。 　　2.3.2 显微形貌观察 　　对抛光砖废渣进行SEM显微形貌观察，如图2所示。抛光砖废渣的形貌不规则，颗粒表面凹凸不平，粒径较小，大多介于0.2～15 μm之间，表现出典型的瘠性料显微特性。这是因为抛光砖废渣主要是由SiC抛光磨头抛光瓷质砖产生的抛光废屑，因而其形状不规则，表面凹凸不平；且磨头中的SiC粒度较细，所以抛光产生废屑粒度较细。 　　2.3.3 热分析 　　抛光砖废渣的热重曲线如图3所示。由TG曲线可知，室温到200℃之间的烧失量为0.75%，主要是物理吸附水的挥发；在200～600℃之间的烧失量为1.29%，主要是结构水的脱附以及氢氧化镁、氯氧镁水合物的分解；在600～1200℃之间的烧失量为0.41%，主要是有机物的烧失和SiC的氧化反应。整个过程烧失重量为2.45%，与表1化学成分分析结果基本一致。由此可见，在抛光砖废渣中有机物含量比较少，也进一步验证了抛光砖废渣的XRD物相分析结果：其晶相主要由石英和莫来石组成。 　　2.3.4 热膨胀分析 　　为验证导致抛光砖废渣发泡的主要物质，将抛光砖废渣压制成直径为2 cm、高为1 cm的圆柱体状的样品放入TOMMI光学热膨胀仪中，观察不同温度下样品膨胀情况，如图4所示。实验测试条件为：样品从室温快速升温到1200℃，升温速率保持10℃/min，1200℃时保温5 min。同时绘制该样品升温过程中的直径与高度方向的热膨胀曲线，如图5所示，其中曲线1为直径变化曲线，曲线2为高度变化曲线。 　　由图5可知，从室温升温到800℃的过程中，样品体积基本无变化，直径与高度方向尺寸变化较小；炉内温度达到800～1130℃过程中，样品开始呈现收