第5章半导体器件基础1答辩.pptVIP

①温度升高时，纯净的半导体的导电能力显著增加； 原子的组成： 带正电的原子核 若干个围绕原子核运动的带负电的电子 且整个原子呈电中性。 半导体器件的材料： 硅（Silicon-Si）：四价元素，硅的原子序数是14，外层有4个电子。 锗（Germanium-Ge）：也是四价元素，锗的原子序数是32，外层也是4个电子。 (3)PN结的伏安特性 定量描绘PN结两端电压和流过结的电流的关系的曲线——PN结的伏安特性。 根据理论分析，PN结的伏安特性方程为 令 外加反向电压时，U为负值，当|U|比UT大几倍时， 曲线OD段表示PN结正向偏置时的伏安特性，称为正向特性； 曲线OB段表示PN结反向偏置时的伏安特性，称为反向特性。 (4) PN结的反向击穿 加大PN结的反向电压到某一值时，反向电流突然剧增，这种现象称为PN结击穿，发生击穿所需的电压称为击穿电压，如图所示。 反向击穿的特点：反向电压增加很小，反向电流却急剧增加。 ① 雪崩击穿 由倍增效应引起的击穿。当PN结外加的反向电压增加到一定数值时，空间电荷数目较多，内电场很强，使流过PN结的少子漂移速度加快，可获得足够大的动能，它们与PN结中的中性原子碰撞时，能把价电子从共价建中碰撞出来，产生新的电子空穴对。 雪崩击穿通常发生在掺杂浓度较低的PN结中。 (5) PN结的电容效应 除了单向导电性之外，PN结还存在电容效应。 ① 势垒电容CB 多子的充放电引起的。是指外加电压的变化导致空间电荷区存储电荷的变化，从而显示出电容效应。几皮法~几百皮法。 ② 扩散电容CD 多子的积累引起的。是指PN结两侧积累的非平衡载流子数量随外加电压改变所产生的电容效应。 5.2 半导体二极管 5.2.1 二极管的结构和符号 半导体二极管的结构和类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 半导体二极管图片 ① 正向特性 死区电压：硅管 0.5V 锗管 0.1V 线性区：硅管 0.6V～1V 锗管 0.2V～0.5V 对温度变化敏感： 温度升高→正向特性曲线左移 温度每升高1℃→正向压降减约2mV。 ② 反向特性 反向电流：很小。 硅管 0.1微安 锗管 几十个微安 受温度影响大： 温度每升高10℃→ 反向电流增加约1倍。 ③ 反向击穿特性 反向击穿UBR:几十伏以上。 5.2.3 二极管的主要参数及应用 器件参数是定量描述器件性能质量和安全工作范围的重要数据，是我们合理选择和正确使用器件的依据。参数一般可以从产品手册中查到，也可以通过直接测量得到。下面介绍晶体二极管的主要参数及其意义。 1、二极管的主要参数 （1）、直流电阻RD RD定义为：二极管两端所加直流电压UD与流过它的直流电流ID之比，即 RD不是恒定值，正向的RD随工作电流增大而减小，反向的RD随反向电压增大而增大。RD的几何意义见图 ，即Q(ID,UD)点到原点直线斜率的倒数。显然，图中Q1点处的RD小于Q2点处的RD 。 （2）、交流电阻rD rD定义为：二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比，即 （5）、反向电流IR IR指二极管未击穿时的反向电流。 IR越小，单向导电性能越好。IR与温度密切相关，使用时应注意IR的温度条件。 （6）、最高工作频率fM fM是与结电容有关的参数。工作频率超过fM时，二极管的单向导电性能变坏。 需要指出，由于器件参数分散性较大，手册中给出的一般为典型值；必要时应通过实际测量得到准确值。另外，应注意参数的测试条件，当运用条件不同时，应考虑其影响。 2、二极管基本应用电路 利用二极管的单向导电特性，可实现整流、限幅及电平选择等功能。 （1）、二极管整流电路 把交流电变为直流电，称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图 (a)所示。若二极管为理想二极管，当输入一正弦波时，由图可知：正半周时，二极管导通(相当开关闭合)，uo=ui；负半周时，二极管截止(相当开关打开)， uo =0。其输入、输出波形见图 (b)