第6章逻辑门电路_ST_2015答辩.pptVIP

半导体三极管(Transistor)的结构 半导体三极管的伏安特性 * 随着工艺的完善和发展，集成电路按集成度（单位硅片中所含元、器件数）的高低可分为： * TTL: 这种类型的电路的共同特点：输入端和输出端都均为三极管结构。 当一个门电路的输出是高电平而另一个门电路的输出是低电平时，则输出端并联后必然有很大的负载电流同时流过这两个电路的输出值，可能是们电路损坏。 * 高电平使能的话，只需要在EN段再加一个反相器即可。 * * * |VGSP|=|VI-VDD| * 无论VI是高电平还是低电平，P1和N1总是一个导通而另一个截至，即所谓互补状态，所以这种电路称为CMOS电路.(互补对称式MOS电路）。由于截至内阻非常大，因此流过N1和P1的静态电路极小，－－CMOS反相器的静态功率极小。 CMOS: COMPLEMENTARY * * 先，最简单地，看看二极管和三极管如何来实现开关作用。 * 先，最简单地，看看二极管和三极管如何来实现开关作用。 * 先，最简单地，看看二极管和三极管如何来实现开关作用。 * 先，最简单地，看看二极管和三极管如何来实现开关作用。 * 先，最简单地，看看二极管和三极管如何来实现开关作用。 高电平使能的话，只需要在EN段再加一个反相器即可。 * （1）实现线与 电路如右图所示，逻辑关系为: 0C门主要有以下几方面的应用： （2）实现电平转换 如图示，可使输出高电平变为10V。 （3）用做驱动器 如图是用来驱动发光二极管的电路。 其他类型的TTL门电路 线与 三态门（TS门） 0.7V 0.9V 截止 截止 5V 0.2V 0V 三态门（TS门） 0.7V 2.1V？ 截止 截止 5V 3.4V 3.4V 0V 0.7V TSL门典型的应用： 三态门在计算机总线结构中有着广泛的应用。 其他类型的TTL门电路 （a）组成单向总线，实现信号的分时单向传送. 分时控制电路依次使三态门G0、 G1 …… G7使能（且任意时刻使能一个） ，就将D0、 D1 …… D7（以反码的形式）分时送到总线上 1 EN 1 EN 1 EN 分时控制电路 D0 D1 D7 G0 G1 G7 在一些复杂的数字系统中（如计算机）为了减少各单元电路之间的连线，使用了“总线” 0 1 1 1 0 1 1 1 0 总线 … … (b)组成双向总线，实现信号的分时双向传送 其他类型的TTL门电路 (略) 当E=0时，门1工作，门2禁止，数据从A送到B； E=1时，门1禁止，门2工作，数据从B送到A。 三态门的用途 TTL系列集成电路及主要参数 ①74 ×× ：标准系列，前面介绍的TTL门电路都属于74系列，其典型电路非门的平均传输时间tpd＝10ns，平均功耗P＝10mW。 ②74H ×× ：高速系列，是在74系列基础上改进得到的，其典型电路非门的平均传输时间tpd＝6ns，平均功耗P＝22mW。 ③74S ×× ：肖特基系列，是在74H系列基础上改进得到的，其典型电路非门的平均传输时间tpd＝4ns，平均功耗P＝20mW。 ④74LS ×× ：低功耗肖特基系列，是在74S系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝10ns，平均功耗P＝2mW。74LS系列产品具有最佳的综合性能，是TTL集成电路的主流，是应用最广的系列。 说明：只要××的数字相同逻辑功能就相同 CMOS集成电路是集成电路家族中的后起之秀。 它以MOS管作为开关元件，由于MOS管的输入电阻极高（可达1010Ω以上），是一种电压控制型器件，故MOS电路具有功耗低的明显特征。 在速度要求不高的场合中，CMOS电路已基本取代TTL电路。高速的CMOS器件也被广泛应用，目前市面上的74HC系列的CMOS器件，其平均传输延迟时间约9ns，与TTL的74LS系列的传输延迟时间相当，并且74HC系列器件的管脚、功能与74LS兼容，在应用74LS系列器件的场合都可用74HC系列代替。 低功耗器件不仅在便携式设备或仪器中广泛应用，而且低功耗器件的使用寿命也长于高功耗器件，因此，在数字电子技术中CMOS器件是数字集成电路发展的主流。 6.3 CMOS门电路 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。 （通过栅极所加电压来控制MOS管的导通和截止） MOS管是金属氧化物半导体又称为绝缘栅型场效应三极管 （Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transisteor, MOSFET） MOS管分为增强型和耗尽型两大类，从参与导电的载流子来划分，每类又有N沟道和P沟道之分；它们的工作原理基本相同。 6.3.1