GaN基LED外延生長基础.pptxVIP

GaN基LED外延生长基础;III-Nitrides;氮化镓材料用途：是制作紫外光，蓝光，绿光，白光LED光电器件的基本材料。 GaN是宽带隙半导体材料室温下 带隙宽度3.39ev。 GaN 与AlN ，InN等氮化物带隙 在1.9~6.2eV之间可以调节。 GaN 具有六方晶格结构。 氮化物需要在异质衬底上生长。 氮化物生长温度要高于其他半 导体材料生长，生长温度高达 1000-1100度 InGaN LEDs 能够用于全色显示;氮化镓GaN生长的难度之一在于异质外延存在的晶格适配和热膨胀失配，为了减小晶格适配带来的影响，降低位错密度，通常再生长高温GaN前插入一层低温GaN 或者AlN，称为缓冲层或成核层。Nakamura 和Akasaki 解决 高质量多量子阱的生长n*InGaN/GaN (n大于5)。 Nakamura 通过退火激活P型获得P-GaN是GaN基LED生长的另外一个难点。 Nakamura;GaN器件关键专利;生长步骤多，显著影响 生长结果的参数多，并 且很多参数都与设备类 型相关（如温度，压力， 反应气体流量比，载气 流量） 1 高温氢气处理 2低温NL(成核层)生长 3非掺GaN生长 4 N-GaN的生长 5 InGaN/GaN 量子阱 6 P-GaN ;本征GaN材料生长参数;N-GaN 典型掺杂元素Si(SiH4) 掺杂能够提供氮化镓晶体质量 P-type doping 典型掺杂元素是Mg(Cp2Mg). 掺杂会导致晶体质量下降 获得 P-GaN MOCVD生长后得到的GaN:Mg 样品是高电阻材料 →Mg和H形成复杂的键结构，需要释放氢才能降低电阻。 →无氢条件下热退火和电子束辐射能够激活Mg受主，获得低电阻P-GaN ; ;蓝宝石衬底生长LED结构;监测曲线与外延形貌关系;;NO ;高亮度蓝光LED的最新发展 1;LED效率提升技术(Epitaxy);2 PSS图形化衬底/GaN自支撑衬底的使用 ;LED效率提升技术(芯片结构);AC HV LED技术简介;;AC LED技术;;AC/HV vs. DC LED ;垂直结构LED;谢 谢！