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2.7 PN 结的开关特性 ;; 反向时，;; 2.7.3 反向恢复过程; 在 tr 期间，设 P+N 结上的电压为 V( t ) ，则 , N 区中非平衡少子的变化情形如下图所示。; 曲线 1 ~ 4 为存储过程，即 ts 期间，; 曲线 4 ~ 6 为下降过程，即 tf 期间，; 2.7.4 反向恢复时间 tr 的计算; 这是一个关于 N 区中非平衡少子电荷 Q 的微分方程。可以明显看出，存储电荷的减少有两个途径：反向电流 Ir 的抽取和空穴的复合。;; 上式将作为求解电荷方程的 初始条件 。;; (2) 从器件本身，应降低少子寿命 ?p ，这样一方面可减少正向时的存储电荷 Q = ?p If ，同时可加快反向时电荷的复合。 通常可以采用掺金、掺铂、中子辐照或电子辐照等方法来引入复合中心，从而使 ?p 减小。; (3) 减薄轻掺杂一侧中性区的厚度。这可以使存储在该区的少子电荷减少。
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