电子工程物理基础v1.1(5-1)2014综述.ppt

唐洁影 东南大学电子科学与工程学院;第5章 半导体中电子的控制;5.1 半导体与外界作用; 费米能级 载流子浓度;（1）n ~T;（2）EF ~T;（3）EF ~掺杂（T一定，则NC也一定）;2.局部热对分布的影响;;;;洛仑兹力;（2）测定载流子浓度及迁移率;2. 回旋共振 ;;;以硅为例,回旋共振实验现象：;;第5章 半导体中电子的控制;5.2 半导体与半导体;;合金温度;(2) Diffused Junctions (扩散结);扩散系统; (3) Ion Implantation (离子注入);2 . pn结区(Space charge region)的形成;阻挡层;缓变结与突变结;;泊松方程 poisson’s equation:;及;突变结;;3. pn结能带 (Enery band );势垒区;n型半导体中的电子浓度为;* 势垒高度 qVD~ ND、NA 、Eg ;;或;;中性区; 外加电场与内建电场方向相反，削弱了内建电场，因而使势垒两端的电势差由VD减小为（VD-Vf），相应地势垒区变薄。;Space charge region;平衡时;这两股电流之和就是正向偏置下流过p-n结的电流。;考虑-xp截面：;;同理：;肖克莱方程;外加电场Vr与内建电场方向一致; 势垒区两侧边界上的少数载流子被强电场扫过势垒区。使边界处的少子浓度低于体内。产生了少子的扩散运动，形成了反向扩散电流。;;类似于正向偏置的方法，可求得反向电流密度;中性区; p-n结的正向和反向电流密度公式可统一用下列公式表示：;p-n结的伏-安特性;p-n结的温度效应;2. p-n结电容 (Capacitance of p-n Junctions);p-n结电容包括势垒电容和扩散电容两部分;势垒电容;对于突变结：;其中 :;;同理：;（3）总电容;点接触型; 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小,适用于高频电路。 因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是分立器件中应用范围较广的类型。 ; 面结型与点接触型二极管相比较，正向特性和反向特性好，因此，用于大电流和整流。;影响p-n结伏-安特性的主要因素：;空间电荷区的复合电流（正向）;;注入p+-n结的n侧的空穴及其所造成的电子分布;空间电荷区的产生电流 （反向）;势垒区的复合影响;2. p-n结的击穿(Berakdown);;影响雪崩击穿电压的主要因素：;(2)齐纳击穿(Zener berakdown)或隧道击穿;影响齐纳击穿电压的主要因素：; 齐纳击穿电压具有负的温度系数,而雪崩击穿电压具有正的温度系数,这种温度效应是区分两种击穿机构的重要方法.;1.稳压管;碰撞电离雪崩渡越时间二极管（IMPATT）Impact Avalanche Transit Time ;整流二极管、稳压二极管、发光二极管、光敏二极管; 当p-n结的两边都是重掺杂时: (1) 费米能级分别进入导带和价带. (2)势垒十分薄.;加正向电压的情况;隧道二极管的优点：;;电子亲和能;2. n-p型;3. p-p型;4. n-n 型;异质结的主要特点;发射结正偏，集电结反偏，且基区很薄; 下面借用同质p-n结的电流表达式，做些定性的讨论。;;2. 窗口效应;;例，高速电子迁移率晶体管（调制掺杂场效应晶体管MODFET）;超晶格;（3）应变超晶格