微电子器件(2-5)总汇.ppt

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势垒电容 CT; 2.5.1 势垒电容的定义 当外加电压有 ( - ?V ) 的变化时,势垒区宽度发生变化,使势垒区中的空间电荷也发生相应的 ?Q 的变化。; 由于 ?xp 与 ?xn 远小于势垒区总宽度 xd ,所以可将这些变化的电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。这时PN 结势垒电容就像一个普通的平行板电容器 ,所以势垒电容 CT 可以简单地表为 ; 2.5.2 突变结的势垒电容 ; 突变结的势垒区总宽度 xd 可以表为; 对于 P+N 单边突变结,; 2.5.3 线性缓变结的势垒电容; 实际 PN 结势垒电容 CT 的计算 ; 反之,则可近似看作线性缓变结,在计算 CT 时需要已知结深 xj 处的杂质浓度梯度 a( xj )。这时应先通过求解方程 ; 图 2-48 ;例 2.1 ;按突变结计算:

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