第二章半导体中杂质和缺陷能级-朱俊-2014探讨.ppt

;在纯净的半导体中掺入一定量不同类型的杂质，并通过对其数量和在空间的分布精确地控制，实现对电阻率和少子寿命的有效控制，从而人为地改变半导体的电学性质，如n型半导体和p型半导体。;Eg;实际半导体（extrinsic）：;杂质和缺陷对能带结构的影响：;; 1、硅、锗中的浅能级和深能级杂质以及和杂 质能级，浅能级杂质电离能的计算，并了解杂 质补偿作用。 2、III-V族化合物主要是GaAs中的杂质能级， 理解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质 等概念。;Note: 间隙式原子的半径一般比较小。;碱金属原子在半导体尤其在Si中的易扩散，引起器件 性能的恶化;单位体积中的杂质原子数称－－杂质浓度;在一定温度下，晶格原子在平衡位置附近振动中，有一部分原子获得足够的能量，克服周围原子对它的束缚而挤入晶格原子间隙，成为间隙原子，原来的位置成为空位。它们成对出现－－Frenkel缺陷。 如在晶体中只形成空位而无间隙原子－－肖特基缺陷。;填隙 ;A;§2.2 Si、Ge晶体中的杂质能级;举例：Si中掺磷P（Si：P）;电离的结果：导带中的电子数增加了，这即是 掺施主杂质的意义所在。;施 主 电 离 能：△ED=EC-ED ;施主杂质：束缚在杂质能级上的电子被激发 到导带Ec成为导带电子，该杂质电离后成为正电 中心（正离子）。这种杂质称为施主杂质。;;浅施主杂质电离能的计算（类氢原子模型）;修正;对于Si中的P原子，剩余电子的运动半径：;P原子中这个多余的电子的运动半径远远大于 其余四个电子，所受到的束缚最小，极易摆脱束缚成为自由电子。;同理：;施主的电离能：;氢原子基态 电子的电离 能13.6eV;如对于在Si、Ge中掺P：;施主杂质的电离能小，在常温下基本上 全部电离。;举例：Si中掺硼B（Si：B）;Si（4价）被B（3价）所取代示意图：; 受主杂质 能 级 图：;EC;受主杂质：束缚在杂质能级上的空穴被激发 到价带Ev成为价带空穴，该杂质电离后成为负电 中心（负离子）。这种杂质称为受主杂质。;(2)受主电离能和受主能级;受主能级EA特点：;上述杂质的特点：;杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。所需要的能量称为杂质的电离能。 称具有这种导电能力的杂质半导体为非本征半导体。;掺入P： P的浓度/Si原子的浓度=10-6 ;掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为N型半导体。称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。 ;4.杂质的补偿作用;(2) NDNA;5、深能级杂质;非Ⅲ族或Ⅴ族的杂质元素在Ge、Si中所产生的杂质能级位置靠近禁带中线Ei,即产生的施主和受主能级距Ec或Ev较远，称为深能级杂质。;例1：Au（Ⅰ族）在Ge中是替位式;例2：Au（Ⅰ族）在Si中;深能级杂质和缺陷的作用:;(空位、自间隙原子);(2) 填隙;2.3、 化合物半导体中的杂质和缺陷 ;替位杂质可以替代Ga，也可替代As 也可有间隙原子存在;●施主杂质－ Ⅵ族元素;●受主杂质－ Ⅱ族元素;● 两性杂质－ Ⅳ族元素;两性杂质例子：;一般讲，硅和锗主要作为浅施主杂质， 常常用来制备n型GaAs和GaN，而在实际 中得到应用。;●中性杂质－ Ⅲ，Ⅴ族元素;等电子陷阱;（b）等电子陷阱（等电子杂质原子）;等 电 子 陷 阱 举 例;等电子陷阱俘获载流子后→束缚激子;（2）GaAs晶体中的点缺陷;A、空 位： 空位的性质由实验定，目前理论还无定论。;B、反结构缺陷： AB 或 BA特征：主要出现在化合物半导体中。; 化合物晶体中的各类点缺陷可以电离，释放出电子或空穴，从而影响材料的电学性质。; 在实际晶体中，由于各种缺陷形成时所需要的能量不同，他们浓度会有很大差别。 ;2. Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的杂质和缺陷; （2）Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的缺陷;;a.负离子空位（如ZnO的O空位）;b.正离子填隙（如ZnO中Zn填隙原子）;c.正离子空位（如ZnO的Zn空位）;d.负离子填隙（如ZnO中O填隙原子）;负离子空位;2.4、位错能级（主要指线缺陷）;本章习题：;