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电子技术:研究电子器件、电子电路和 系统及其应用的技术。;课程特点:技术基础课,内容丰富、技术 更新快、紧密联系实际。;第一章 半导体分立器件及其基本电路;;5、掌握三极管的基本结构。了解三极管的电流放大原理
以及电流的形成。掌握基本的放大电路的分析方法:
静态、动态分析。电路包括:简单的共射极放大电路、
稳定工作点的放大电路、射极输出器。
6、掌握多极放大电路的分析方法。
;;半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。例如:; 1.本征半导体;本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。;本征半导体的导电机理;+4;??征半导体的导电机理;3.温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。; 2.杂质半导体;半导体的物理特性—导电可控性;N 型半导体;+4;掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。;P 型半导体;杂质半导体的示意表示法;杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。;;P型半导体;漂移运动;-;1.空间电荷区中没有载流子。;二. PN结的单向导电性; ;-;二、PN 结反向偏置;;一、基本结构; 二、伏安特性;三、主要参数; 指管子不被反向击穿所允许外加的电压。一般手册上给出的UDRM约为击穿电压的一半。
;4.最大反向电流IRM:;前次回顾:;四. 二极管的模型;2.恒压降模型.二极管在正向导通时,其管压降为恒定值,硅管的管压降约为0.7V,锗管的管压降约为0.3V。;1.22 二极管应用电路1:限幅电路;RL;二极管的应用举例3:;;(4)稳定电流IZ;稳压二极管的应用举例1:;负载电阻 。;令输入电压降到下限时,流过稳压管的电流为Izmin 。;2. 发光二极管;3. 光电二极管;1.3.1 放大的基本概念;放大电路示意图;2;1、输入电阻ri;2、输出电阻ro;如何确定电路的输出电阻ro ?;方法二:测量。;3、电压放大倍数Au;电压放大倍数的对数表示形式;;B;B;B;2. 三极管的电流分配与放大作用;B;IB=IBE-ICBO?IBE;ICE与IBE之比称为电流放大倍数;实验验证:;实验数据:;3.三极管的特性曲线;一、输入特性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;;例:UCE=6V时:IB = 40 ?A, IC =1.5 mA; IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。;(2) 集-基极反向饱和电流ICBO;B;(4) 集电极最大电流ICM;(6)集电极最大允许功耗PCM;5.复合三极管;;6.光电三极管和光电耦合器;;;作用:使发射结正偏,并提供适当的静态工作点。;集电极电源,为电路提供能量。并保证集电结反偏。;集电极电阻,将变化的电流转变为变化的电压。;耦合电容:
电解电容,有极性。
大小为10?F~50?F;可以省去;单电源供电电路; 放大电路的分析;ui=0时;IBQ;放大电路中各点的电压或电流都是在静态直流上附加了小的交流信号。;例:;;(2)根据直流通道估算UCE、IC;例:用估算法计算静态工作点。;直流负载线作法;;(IBQ,UBEQ) 和( ICQ,UCEQ )分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。;IB;符号规定;uCE的变化沿一条直线;各点波形;小结 实现放大的条件;(一)三极管的小信号模型分析法;(2) 输出回路;ube;;;;;所以:;;iC;1. Q点过低,信号进入截止区;iC;;(1)、温度对UBE的影响;(2)、温度对? 值及ICEO的影响;小结:;分压式偏置电路:;(1)电路组成;T;I1;可以认为与温度无关。;(2)静态分析;(3)动态分析;rbe;无旁路电容CE;例 电路如图所示,求:(1) 放大器的静态工作点;(2) 画出放大器的微变等效电路 (有CE、无CE );(3) 放大器的电压放大倍数 Au (有CE、无CE);(4) 放大器的输入、输出
电阻(有CE、无CE);(5)若测得输出波形为
判断放大器出现的是何种失真,如何消除失真?(6)若输入信号为 ,输出正常波形,则UO多大?;(2);(3);(4)有CE
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