IC版图设计-第二章材料.pptx

第2章 集成电路制造工艺;引言;2.1 硅片制备;多晶硅 ;单晶硅的制备; 晶体性质：熔点温度以上时，液态自由能低于固态；熔点温度以下时，固态自由能低于液态。;利用熔融多晶硅来制备单晶硅的两种主要方法： 直拉法（Czochralski Method，CZ法） 悬浮区熔法（Float Zone Method，FZ法）;直拉法;单晶炉;基本原理： 电子级多晶硅原料被装在石英坩埚内，坩埚上方有一可旋转和升降的籽晶杆，杆下端有一个夹头，用于夹住籽晶。原料被加热器熔化（硅熔点，1417度），再将籽晶伸入到熔体内，控制合适的温度，使之达到饱和温度，边旋转边提拉，这样由于冷凝将在液体-固体交界面处生长出硅单晶。;直拉法具体操作方法;4、拉晶 1）下种：下降籽晶使之与熔融硅液面接触进行引晶； 2）缩颈：略微升温，起拉进行缩颈（或收颈），在籽晶与生长的单晶棒之间缩颈， 晶体最细部分直径只有2-3mm； 3）放肩：略微降温、降速，让晶体逐渐长大至所需直径； 4）等径生长：拉杆与坩埚反向匀速转动拉制出等径单晶， 拉升速度、转速、以及温度决定晶体直径大小； 5）收尾：适当升高温度，加速使坩埚内液体全部拉光；;籽晶的作用;缩颈;磁控直拉法;悬浮区熔法;三种方法比较;硅片的分类;2.2 外延工艺;在微电子工艺中，外延是指在合适的单晶衬底上，用物理或化学的方法，按衬底晶向排列（生长）单晶半导体薄膜的工艺过程。 新生长的晶体称为外延层，有外延层的硅片称为（硅）外延片。 与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温度比熔点低很多。 外延是在晶体上生长晶体，生长出的晶体的晶向与衬底晶向相同，掺杂类型、电阻率可不同。n/n+，n/p，GaAs/Si。;外延工艺种类;气相外延工艺成熟，可很好的控制薄膜厚度，杂质浓度，以及晶格的完整性，在硅工艺中一直占据主导地位。;同质外延又称为均匀外延，是外延层与衬底材料相同的外延。 异质外延也称非均匀外延，外延层与衬底材料不相同，甚至物理结构也与衬底完全不同。 异质外延的相容性 1、衬底与外延层不发生化学反应，不发生大量的溶解现象。 2、衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以避免外延层由生长温度冷却至室温时，产生残余热应力，界面位错，甚至外延层破裂。 3、衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大 ;外延工艺特点;外延工艺用途;n+埋层;气相外延; 如上图所示Si基片放在石英管中的石墨板基座上，SiCl4、H2及气态杂质原子通过反应管。在外延过程中，石墨板被石英管周围的射频线圈加热到1500-2000度，在高温下发生了SiCl4+2H2→Si+4HCl↑的反应，释放出的Si原子在基片表面形成单晶硅，典型的生长速度为0.5~1μm/min。;分子束外延;分子束外延工艺及原理;分子束外延特点;分子束外延特点;2.3 氧化工艺;二氧化硅薄膜概述;二氧化硅薄膜概述;二氧化硅薄膜概述;二氧化硅对杂质有掩蔽扩散作用，能实现选择性定域扩散掺杂 器件表面的保护和电路的钝化膜 器件的电隔离（绝缘）作用 电容的介电材料 作MOS 管的绝缘栅材料 多层互连的层间绝缘介质 缓冲层/热氧化层;1.扩散时的掩蔽层，离子注入的阻挡层 SiO2对杂质扩散起到掩蔽作用，利用这个性质结合光刻工艺，就可以进行选择性扩散。 这种掩蔽作用是有条件的。随着温度升高扩散时间延长，杂质也有可能会扩散穿透SiO2膜层，使掩蔽作用失效。因此SiO2起掩蔽作用有两个条件（1）厚度足够；（2）所选杂质在SiO2中的扩散系数要比在硅中的扩散系数小得多。 ;2.器件和电路的保护或钝化膜 在硅片表面生长一层SiO2膜，可以保护硅表面和P-N结的边缘不受外界影响，提高器件的稳定性和可靠性。 同时，在制造工艺流程中，防止表面或P-N结受到机械损伤和杂质玷污，起到了保护作用。 另外，有了这一层SiO2膜，就可以将硅片表面和P-N结与外界气氛隔开。降低了外界气氛对硅的影响，起到钝化作用。 但是，钝化的前提是膜层的质量要好，如果SiO2膜中含有大量纳离子或针孔，非但不能起到钝化作用，反而会造成器件不稳定。;3.某些器件的重要组成部分 (1)MOS管的绝缘栅材料： 在MOS晶体管中，常以SiO2膜作为栅极下面的介质层，这是因为SiO2层的电阻率高，介电强度大，几乎不存在漏电流。但作为绝缘栅要求极高，因为Si-SiO2界面十分敏感（指电学性能）， SiO2层质量不好，这样的绝